ZHCSSC8 December   2023 ADS1114L , ADS1115L

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 I2C 时序要求
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  8. 参数测量信息
    1. 7.1 噪声性能
  9. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 多路复用器
      2. 8.3.2 模拟输入
      3. 8.3.3 满量程范围 (FSR) 和最低有效位 (LSB) 大小
      4. 8.3.4 电压基准
      5. 8.3.5 振荡器
      6. 8.3.6 输出数据速率和转换时间
      7. 8.3.7 数字比较器
      8. 8.3.8 转换就绪引脚
      9. 8.3.9 SMBus 警报响应
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 复位和上电
      2. 8.4.2 工作模式
        1. 8.4.2.1 单冲模式
        2. 8.4.2.2 连续转换模式
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 I2C 接口
        1. 8.5.1.1 I2C 地址选择
        2. 8.5.1.2 I2C 接口速度
          1. 8.5.1.2.1 串行时钟 (SCL) 和串行数据 (SDA)
        3. 8.5.1.3 I2C 数据传输协议
        4. 8.5.1.4 Timeout
        5. 8.5.1.5 I2C 通用呼叫(软件复位)
      2. 8.5.2 对寄存器数据进行读取和写入
        1. 8.5.2.1 读取转换数据或配置寄存器
        2. 8.5.2.2 对 Configuration 寄存器进行写入
      3. 8.5.3 数据格式
  10. 寄存器映射
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
      1. 10.1.1 基本连接
      2. 10.1.2 未使用的输入和输出
      3. 10.1.3 单端输入
      4. 10.1.4 输入保护
      5. 10.1.5 模拟输入滤波
      6. 10.1.6 连接多个器件
      7. 10.1.7 实施占空比以实现低功耗
      8. 10.1.8 I2C 通信序列示例
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 设计要求
      2. 10.2.2 详细设计过程
      3. 10.2.3 应用曲线
    3. 10.3 电源相关建议
      1. 10.3.1 电源排序
      2. 10.3.2 电源去耦
    4. 10.4 布局
      1. 10.4.1 布局指南
      2. 10.4.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电源去耦

良好的电源去耦对于实现最优性能至关重要。如图 10-11 所示,必须使用至少 0.1µF 的电容器对 VDD 进行去耦。当器件进行转换时,0.1μF 旁路电容器可提供电源所需的瞬时突发额外电流。通过低阻抗连接将旁路电容放置在尽可能靠近器件电源引脚的位置。应使用多层陶瓷片式电容器 (MLCC) 提供低等效串联电阻 (ESR) 和电感 (ESL) 特性,从而实现电源去耦。对于非常敏感的系统或处于恶劣噪声环境中的系统,请勿使用过孔将电容器连接到器件引脚,以实现更好的抗噪性能。并联使用多个过孔可降低总电感并且有利于与接地平面相连。

GUID-20230714-SS0I-JTNF-2WPC-JZPBHVRFVNH5-low.svg图 10-11 ADS1115L 电源去耦