ZHCUA35A April 2012 – February 2022 TPS51219

8 物料清单

表 8-1 基于图 1 所示原理图的 EVM 元件列表

数量	参考标识符	值	说明	器件型号	制造商
7	C1、C4、C27、C29–C31、C37	0.1µF	电容器，陶瓷，50V，X5R，10%	STD	STD
1	C3	10nF	电容器，陶瓷，50V，X5R，10%	STD	STD
1	C5	2.2µF	电容器，陶瓷，10V，X5R，10%	GRM188R61A225KE34	Murata（村田）
4	C7，C8，C9，C10	10µF	电容器，陶瓷，25V，X5R，20%	TMK325BJ106MM-T	Taiyo Yuden（太阳诱电）
5	C11、C12、C39–C41	330µF	电容器，铝，2V，6mΩ，20%	EEFSX0D331XE	Panasonic（松下）
12	C13–C24	22µF	电容器，陶瓷，6.3V，X5R，10%	JMK212BJ226MG-T	Taiyo Yuden（太阳诱电）
1	C28	0.47µF	电容器，陶瓷，50V，X5R，10%	STD	STD
2	C32、C35	1µF	电容器，陶瓷，10V，X5R，10%	C1608X5R1A105K	TDK
3	C25、C34、C36	1nF	电容器，陶瓷，50V，CH，10%	STD	STD
0	C2、C6、C26、C33、C38、C42	NU
1	D1	BAT54	二极管，肖特基，200mA，30V	BAT54	STD
0	D2–D4	NU
1	D5	BAT54S	二极管，双路肖特基，200mA，30V	BAT54S	STD
1	L1	0.36µH	电感器，电源扼流圈 SMT，30A，1.05mΩ	MPCG1040LR36	NEC Tokin
1	Q1	CSD17302Q5A	MOSFET，N 沟道，30V，87A，7.3mΩ	CSD17302Q5A	TI
1	Q2	CSD17312Q5	MOSFET，N 沟道，30V，100A，1.4mΩ	CSD17312Q5	TI
1	Q4	CSD17303Q5	MOSFET，N 沟道，30V，100A，2mΩ	CSD17303Q5	TI
0	Q3、Q5	NU
2	R3，R5	100kΩ	电阻器，贴片，1/16W，1%	STD	STD
1	R4	1kΩ	电阻器，贴片，1/16W，1%	STD	STD
1	R6	27kΩ	电阻器，贴片，1/16W，1%	STD	STD
7	R8、R10、R11、R12、R14、R30、R31	0Ω	电阻器，贴片，1/16W，1%	STD	STD
1	R9	3.9 Ω	电阻器，贴片，1/16W，1%	STD	STD
1	R15	2.2 Ω	电阻器，贴片，1/10W，1%	STD	STD
1	R16	1.5kΩ	电阻器，贴片，1/16W，1%	STD	STD
1	R17	150kΩ	电阻器，贴片，1/16W，1%	STD	STD
3	R18–R20	10kΩ	电阻器，贴片，1/16W，1%	STD	STD
1	R24	240 Ω	电阻器，贴片，1/16W，1%	STD	STD
2	R25、R26	0.25 Ω	电阻器，贴片，1W，1%	WSL2512R2500FEA	Vishay（威世）
1	R29	0.005 Ω	电阻器，贴片，1W，1%	ERJM1WSF5M0U	Panasonic（松下）
1	R7	10Ω	电阻器，贴片，1/16W，1%	STD	STD
1	R33	130 Ω	电阻器，贴片，1/16W，1%	STD	STD
1	R34	1 Ω	电阻器，贴片，1/16W，1%	STD	STD
0	R1、R2、R13、R21–R23、R27、R28、R32	NU
1	SW1	G12AP	ON-ON 迷你拨动开关	G12AP	Nikkai
1	U1	TPS51219RTE	IC，高性能单路同步降压控制器	TPS51219RTE	TI
1	U2	TPS71533DCK	IC，稳压器，LDO，50mA，24V	TPS71533DCK	TI
1	U3	TLC555CD	IC，计时器，低功耗 CMOS	TLC555D	TI
1	U4	SN74HC14PW	IC，六路施密特触发器反相器。	SN74HC14PW	TI
1	U5	UCC27324D	IC，双路 4A 高速 MOSFET 驱动器	UCC27324D	TI