ZHCADX2 March   2024 LM76003 , UCC27282 , UCC27288

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2特定应用场景中的设计和潜在风险
  6. 3潜在问题分析
    1. 3.1 高占空比导致自举二极管中产生高电流应力
      1. 3.1.1 模式 1
      2. 3.1.2 模式 2
      3. 3.1.3 模式 3
      4. 3.1.4 模式 4
    2. 3.2 额外电压源的影响
  7. 4设计建议
  8. 5总结
  9. 6参考文献

摘要

在太阳能优化器应用中，降压拓扑经常用于整个系统的功率级。因此，要驱动降压电路内的 FET，半桥栅极驱动器是一种简单方法。但在太阳能优化器或其他一些应用中，通常需要高侧 FET 以 100% 占空比运行。具有自举二极管和电容器的通用半桥栅极驱动器无法实现高侧 FET 的 100% 占空比。本应用手册先介绍了为什么高侧 FET 可以在优化器中以 100% 占空比运行的背景情况。随后介绍了一种使用半桥栅极驱动器实现 100% 占空比的设计。此外，还通过理论和仿真分析了设计中可能出现的风险。在理论和仿真的基础上，还完成了比较实验以进行验证。本手册最后介绍了避免这些风险的设计注意事项和建议。