ZHCADX2 March   2024 LM76003 , UCC27282 , UCC27288

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2特定应用场景中的设计和潜在风险
  6. 3潜在问题分析
    1. 3.1 高占空比导致自举二极管中产生高电流应力
      1. 3.1.1 模式 1
      2. 3.1.2 模式 2
      3. 3.1.3 模式 3
      4. 3.1.4 模式 4
    2. 3.2 额外电压源的影响
  7. 4设计建议
  8. 5总结
  9. 6参考文献

4 设计建议

为了正确实现此设计，V2 必须大于 V1。

方程式 3. V2>V1

当 V2 大于 V1 时，自举二极管可以始终保持反向偏置，这意味着 V1 只能为栅极驱动器和低侧 FET 的内部电路供电。驱动高侧 FET 的能量可来自 V2。

根据前面的分析，我们还可以提高栅极驱动器的电流能力来避免风险。建议添加外部自举二极管，如肖特基二极管或快速恢复二极管。

也可以只使用半桥栅极驱动器，而无需内置自举二极管。因为在本设计中，自举二极管可以一直在反向偏置下工作，所以我们只需移除该二极管，这样就不存在电源振幅要求。例如，我们可以使用 UCC27888 来简化设计流程。