ZHCADX2 March   2024 LM76003 , UCC27282 , UCC27288

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2特定应用场景中的设计和潜在风险
  6. 3潜在问题分析
    1. 3.1 高占空比导致自举二极管中产生高电流应力
      1. 3.1.1 模式 1
      2. 3.1.2 模式 2
      3. 3.1.3 模式 3
      4. 3.1.4 模式 4
    2. 3.2 额外电压源的影响
  7. 4设计建议
  8. 5总结
  9. 6参考文献

3.1 高占空比导致自举二极管中产生高电流应力

我们分析一下为什么高占空比会导致自举二极管中产生高电流应力，首先假设不涉及电源 V2。以优化器为例，在从降压模式到直通模式的转换过程结束时，高侧 FET 占空比接近 100%，低侧 FET 占空比接近 0%，图 3-1 显示了 PWM 信号的时间图。在转换期间有四种运行模式。图 3-2 显示了系统的等效电路。

GUID-20240313-SS0I-39R5-TV2Q-Q50V2KSKBHXJ-low.svg图 3-1 PWM 信号的时间图
  • 蓝线：低侧 MOSFET 栅源 PWM 信号
  • 绿线：高侧栅源 PWM 信号

在实际应用中，产生这些电源的常用方法是使用具有多个绕组的 Fly-Buck 或反激式拓扑。假设两个电源由不同的绕组产生，并且分别连接到 VDD、GND、HB 和 HS。为了便于理解，下面对不同模式进行了分析。

GUID-20240313-SS0I-9LCH-NHPR-6DS3N0B6L4X3-low.svg图 3-2 系统原理图