ZHCADX2 March   2024 LM76003 , UCC27282 , UCC27288

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2特定应用场景中的设计和潜在风险
  6. 3潜在问题分析
    1. 3.1 高占空比导致自举二极管中产生高电流应力
      1. 3.1.1 模式 1
      2. 3.1.2 模式 2
      3. 3.1.3 模式 3
      4. 3.1.4 模式 4
    2. 3.2 额外电压源的影响
  7. 4设计建议
  8. 5总结
  9. 6参考文献

3.1.2 模式 2

模式 2 是 Q1 关断后且 Q2 仍保持关断的死区时间期间。此模式与模式 1 类似。唯一的区别是电感器电流会流过 Q1 的体二极管。在大多数情况下，体二极管的压降高于 VRDSON。这意味着自举电容器之间的电压差会高于模式 1 中的电压差，并且可能会使自举电容器过充。表示自举电压值的公式是：

方程式 2. VCBOOT2=V1-Vd1+Vd2

VCBOOT2：模式 2 中自举电容器的电压

Vd1：自举二极管的正向压降

Vd2：MOSFET 体二极管的压降

因为 Vd2 大于 VRDSON，所以 VCBOOT2 会大于 VCBOOT1。实际上，如果我们不计算 HS 接地电压的电势振荡，自举电容器的电压在此模式下是最大值。图 3-4 显示了模式 2 下的等效电路。

GUID-20240313-SS0I-BP6L-4Z7X-3KXPMKGG1GGN-low.svg图 3-4 模式 2 下的等效电路