ZHCAD97 October   2023 AMC23C11 , UCC23513

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2具有集成 DESAT 的隔离式栅极驱动器的系统挑战
  6. 3使用 UCC23513 和 AMC23C11 的系统方法
    1. 3.1 系统概述和主要规格
    2. 3.2 原理图设计
      1. 3.2.1 电路原理图
      2. 3.2.2 配置 VCE(DESAT) 阈值和 DESAT 偏置电流
      3. 3.2.3 DESAT 消隐时间
      4. 3.2.4 DESAT 抗尖峰脉冲滤波器
    3. 3.3 参考 PCB 布局
  7. 4仿真和测试结果
    1. 4.1 仿真电路和结果
      1. 4.1.1 仿真电路
      2. 4.1.2 仿真结果
    2. 4.2 三相 IGBT 逆变器的测试结果
      1. 4.2.1 制动 IGBT 测试
      2. 4.2.2 具有相间短路保护功能的三相逆变器的测试结果
  8. 5总结
  9. 6参考资料
  10. 7修订历史记录

3.2 原理图设计

图 3-2 显示了使用 15V 单极电源来驱动 IGBT 的设计原理图。通过一些微小的更改，此设计可以适用于功率 MOSFET 驱动或双极电源应用的 12V 电源设计。有关更多详细信息，请参阅参考设计 TIDA-00448。

电阻器 R9 至 R14 和高压二极管 D1 用于检测导通期间 IGBT 的实际 VCE，并根据隔离式比较器 AMC23C11 的基准电压 VREF 对其进行调整。R10 和 R11 并联来分散功率损耗。

与 R14 并联的电容器 C14 会设置消隐时间，以避免 IGBT 导通期间出现误触发。添加了 5.1V 齐纳二极管 D2 选项，用于抑制可能因 IGBT 开关而引起的高压尖峰。请注意，D2 的内部电容将与 C14 并联，并影响消隐时间。在我们的测试中，我们没有组装此 D2。建议使用具有低内部电容的快速开关二极管 D1，以避免误触发 DESAT 并尽可能缩短所需的消隐时间。

低压侧使用 3.3V 电源来直接连接 C2000TM 和 Sitara MCU 等常用 MCU 的 I/O 电平。在 LATCH 未激活的情况下，R6 和 C11 为比较器的输出设置抗尖峰脉冲延迟（默认值为 0.2μs）。