对于半桥和低侧驱动器，都必须考虑电源电压 (V_DD)。该规格主要与电源开关相关。除了一般灵活性外，SiC MOSFET 或 IGBT 适合选择宽 V_DD 范围（例如 UCC27531：10V 至 32V），因为对于这些开关的高栅源电压 (V_GS)，该范围可以在栅极驱动器输出上提供更大的裕度。一些系统需要较低的 V_DD 工作电源，以便栅极驱动器输出与 Si MOSFET 或 GaN 等电源开关兼容（例如 UCC27517：4.5V 至 18V）。

在半桥驱动器电路中，还必须考虑 V_DD，避免违反 V_HB–V_HS 等关键电压规格。因此，在最终选择驱动器之前，请检查器件数据表中的建议运行条件表，以确认所选的 V_DD 不会出现违反规格的情况。

除了半桥驱动器的规格外，需要考虑的另一个关键电压是系统的总线电压。该电压以及系统的合理余量决定了所需的 V_HS 和 V_HB。

直流电机驱动系统的常见总线电压范围为 12V 至 110V（直流）。通常，系统使用的元件额定电压比总线电压高 50–100%。例如，对于 48V 系统，具有 100V 或 120V V_HS 电压的驱动器通常可以提供足够的瞬态裕度。噪声控制良好的系统通常不需要太多的余量。在其他情况下，设计人员更喜欢使用具有更高裕度的驱动器，而不是将布局噪声降至最低。