ZHCACV9 july   2023 PCM3120-Q1 , PCM5120-Q1 , PCM6120-Q1 , TLV320ADC5120

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
    1. 1.1 交流耦合系统
    2. 1.2 直流耦合系统
  5. 2交流耦合方案
    1. 2.1 等效电路
    2. 2.2 使用交流耦合时的输入引脚波形
    3. 2.3 耦合电容器的选择
    4. 2.4 快速充电电路
    5. 2.5 电容器类型的选择
    6. 2.6 单端和差分模式
    7. 2.7 交流耦合电路中的 S.N.R
  6. 3直流耦合方案
    1. 3.1 偏置引脚
    2. 3.2 电气特性
    3. 3.3 应用电路
      1. 3.3.1 直流耦合电路中的 S.N.R
  7. 4应用示例
    1. 4.1  驻极体电容式麦克风:单端直流耦合输入
    2. 4.2  驻极体电容式麦克风:单端交流耦合输入
    3. 4.3  麦克风的选择
    4. 4.4  电容式麦克风:差分直流耦合输入
    5. 4.5  电容式麦克风:差分交流耦合输入
    6. 4.6  MEMS 麦克风:差分交流耦合输入
    7. 4.7  没有失调电压且响应低至直流的电路
    8. 4.8  通过对 2 个 ADC 通道的输出求和来提高 SNR
    9. 4.9  测量高电压波形 (+-50V)
    10. 4.10 I2C 列表
  8. 5总结
  9. 6参考文献

快速充电电路

上电时,耦合电容器充电至共模电压。通过在引脚与 Vref/2 之间连接一个内部 800Ω 电阻器来完成这个充电过程。此连接持续 2.5ms。这个时间足以将 1u 电容器充电至 Vref/2。此过程称为快速充电。

仅在耦合电容器充电至稳态值后,ADC 的音频输出才正常。

GUID-20230501-SS0I-BF0W-RFLS-ZPCJNHMJJZ0J-low.svg图 2-6 快速充电电路

如果耦合电容器大于 1uf,则可通过 SHDN_CFG 寄存器 (P0 R5) 将持续时间设置为更高的值。

表 2-5 SHDN_CFG 寄存器字段说明
字段类型复位说明
7-6保留R0h保留
5-4INCAP_QCHG[1:0]R/W0h外部交流耦合电容器的快速充电持续时间使用 800Ω 的内部串联电阻来设置。
0d = INxP、INxM 快速充电持续时间为 2.5ms(典型值)

1d = INxP、INxM 快速充电持续时间为 12.5ms(典型值)

2d = INxP、INxM 快速充电持续时间为 25ms(典型值)

3d = INxP、INxM 快速充电持续时间为 50ms(典型值)
3-2SHDNZ_CFG[1:0]R/W1h关断配置:
0d = SHDNZ 置位后立即关断 DREG

1d = DREG 保持有效,以便在达到超时之前彻底关断;在超时之后,强制 DREG 关断

2d = DREG 保持有效,直至器件完全关断

3d = 保留
1-0DREG_KA_TIME[1:0]R/W1h这些位设置在 SHDNZ 置位后 DREG 在多长时间内保持有效状态。
0d = DREG 保持有效状态 30ms(典型值)

1d = DREG 保持有效状态 25ms(典型值)

2d = DREG 保持有效状态 10ms(典型值)

3d = DREG 保持有效状态 5ms(典型值)

RC 电路达到电源电压 90% 所花的时间按如下公式计算:

方程式 6. Tr=2.3xR×C    R=800 Ω 
方程式 7. Tr=1800×C
方程式 8.  Tr1=1800×C1    For another capacitor C1
方程式 9. C1=C × Tr1  T 
方程式 10. C1=1 μf × TR12.5 ms     For TR1=12.5 ms, C1=4.7μf

表 2-6 列出了不同耦合电容器值对应的 SHDN_CFG 寄存器设置。

表 2-6 SHDN_CFG 寄存器设置
快速充电时间耦合电容器
2.5ms1u
12.5ms4.7u
25ms10u
50ms22μ