ZHCAB22A November   2017  – November 2020 TMS320F28075 , TMS320F28075-Q1 , TMS320F28076 , TMS320F28374D , TMS320F28374S , TMS320F28375D , TMS320F28375S , TMS320F28375S-Q1 , TMS320F28376D , TMS320F28376S , TMS320F28377D , TMS320F28377D-EP , TMS320F28377D-Q1 , TMS320F28377S , TMS320F28377S-Q1 , TMS320F28378D , TMS320F28378S , TMS320F28379D , TMS320F28379D-Q1

 

  1.   商标
  2. 1 引言和范围
  3. 2 SRAM 位阵列
  4. 3 SRAM 故障来源
    1. 3.1 制造缺陷
      1. 3.1.1 时间零点故障
      2. 3.1.2 潜在故障
    2. 3.2 电路随使用次数的增加发生漂移
    3. 3.3 电路过应力
    4. 3.4 软错误
      1. 3.4.1 放射性事件
      2. 3.4.2 动态电压事件
      3. 3.4.3 错误来源总结
  5. 4 用于管理电子系统中存储器故障的方法
    1. 4.1 启动测试
    2. 4.2 系统内测试
    3. 4.3 奇偶检测
    4. 4.4 检错与纠错 (EDAC)
    5. 4.5 冗余
  6. 5 比较和结论
  7. 6  C2000 存储器类型示例
    1. 6.1 TMS320F2837xD
  8. 7 存储器类型
    1. 7.1 专用 RAM（Mx 和 Dx RAM）
    2. 7.2 本地共享 RAM (LSx RAM)
    3. 7.3 全局共享 RAM (GSx RAM)
    4. 7.4 CPU 消息 RAM (CPU MSGRAM)
    5. 7.5 CLA 消息 RAM (CLA MSGRAM)
  9. 8 总结
  10. 9 参考文献
  11. 10修订历史记录

3.4.2 动态电压事件

任何涉及开关的电路都会发生动态电压事件，即使在集成电路上也会发生电压事件。例如，只要主系统时钟进行切换，许多其他晶体管都会转换，并且电源平面上会出现一些噪声。尽管半导体器件内的电压事件很小，但如果在对某个具有裕度的位单元进行读取或写入期间发生电压事件，则该位单元可能会受到干扰。不过，这些器件会使用足够的裕度进行测试，以筛选出此类位单元，因此这个问题并没有上升到系统层面。大到足以干扰具有裕度的位单元的电压事件来自芯片外部或源自器件的运行超出数据表规格。即便如此，电压事件也只会在较弱的位（由于正常和预期的过程变化而较弱）上发生。因此，单个位检测足以应对此类事件。

可能会由于显著的动态电压事件而发生多位读取或写入故障。这表明存在电压问题，最好通过电压监控而不是存储器监控加以解决。