ZHCAB22A November   2017  – November 2020 TMS320F28075 , TMS320F28075-Q1 , TMS320F28076 , TMS320F28374D , TMS320F28374S , TMS320F28375D , TMS320F28375S , TMS320F28375S-Q1 , TMS320F28376D , TMS320F28376S , TMS320F28377D , TMS320F28377D-EP , TMS320F28377D-Q1 , TMS320F28377S , TMS320F28377S-Q1 , TMS320F28378D , TMS320F28378S , TMS320F28379D , TMS320F28379D-Q1

 

  1.   商标
  2. 1 引言和范围
  3. 2 SRAM 位阵列
  4. 3 SRAM 故障来源
    1. 3.1 制造缺陷
      1. 3.1.1 时间零点故障
      2. 3.1.2 潜在故障
    2. 3.2 电路随使用次数的增加发生漂移
    3. 3.3 电路过应力
    4. 3.4 软错误
      1. 3.4.1 放射性事件
      2. 3.4.2 动态电压事件
      3. 3.4.3 错误来源总结
  5. 4 用于管理电子系统中存储器故障的方法
    1. 4.1 启动测试
    2. 4.2 系统内测试
    3. 4.3 奇偶检测
    4. 4.4 检错与纠错 (EDAC)
    5. 4.5 冗余
  6. 5 比较和结论
  7. 6  C2000 存储器类型示例
    1. 6.1 TMS320F2837xD
  8. 7 存储器类型
    1. 7.1 专用 RAM（Mx 和 Dx RAM）
    2. 7.2 本地共享 RAM (LSx RAM)
    3. 7.3 全局共享 RAM (GSx RAM)
    4. 7.4 CPU 消息 RAM (CPU MSGRAM)
    5. 7.5 CLA 消息 RAM (CLA MSGRAM)
  9. 8 总结
  10. 9 参考文献
  11. 10修订历史记录

3.1 制造缺陷

本文不打算详细介绍半导体器件制造过程中产生的缺陷。SRAM 是一种非常普遍、密集和敏感的电路，在半导体器件测试中受到了极大的关注。测试环境包括高级且通常是专有的测试算法。制造测试环境允许使用在终端系统中不可能出现的电压/温度/频率裕度进行测试。半导体器件设计包括专门的测试模式，以允许制造测试包含进一步的裕度测试。