ZHCAAE6B November   2018  – June 2021 DRV10866 , DRV10963 , DRV10964 , DRV10970 , DRV10974 , DRV10975 , DRV10983 , DRV10983-Q1 , DRV10987 , DRV11873 , DRV3205-Q1 , DRV3220-Q1 , DRV3245E-Q1 , DRV3245Q-Q1 , DRV8301 , DRV8302 , DRV8303 , DRV8304 , DRV8305 , DRV8305-Q1 , DRV8306 , DRV8307 , DRV8308 , DRV8312 , DRV8313 , DRV8320 , DRV8320R , DRV8323 , DRV8323R , DRV8332 , DRV8343-Q1 , DRV8350 , DRV8350R , DRV8353 , DRV8353R , DRV8412 , DRV8701 , DRV8702-Q1 , DRV8702D-Q1 , DRV8703-Q1 , DRV8703D-Q1 , DRV8704 , DRV8711 , DRV8800 , DRV8801 , DRV8801-Q1 , DRV8801A-Q1 , DRV8802 , DRV8802-Q1 , DRV8803 , DRV8804 , DRV8805 , DRV8806 , DRV8811 , DRV8812 , DRV8813 , DRV8814 , DRV8816 , DRV8818 , DRV8821 , DRV8823 , DRV8823-Q1 , DRV8824 , DRV8824-Q1 , DRV8825 , DRV8828 , DRV8829 , DRV8830 , DRV8832 , DRV8832-Q1 , DRV8833 , DRV8833C , DRV8834 , DRV8835 , DRV8836 , DRV8837 , DRV8837C , DRV8838 , DRV8839 , DRV8840 , DRV8841 , DRV8842 , DRV8843 , DRV8844 , DRV8846 , DRV8847 , DRV8848 , DRV8850 , DRV8860 , DRV8870 , DRV8871 , DRV8871-Q1 , DRV8872 , DRV8872-Q1 , DRV8873-Q1 , DRV8880 , DRV8881 , DRV8884 , DRV8885 , DRV8886 , DRV8886AT , DRV8889-Q1

 

  1.   商标
  2. 1接地优化
    1. 1.1 常用术语/连接
    2. 1.2 使用接地平面
      1. 1.2.1 两层板技术
    3. 1.3 常见问题
      1. 1.3.1 电容耦合和电感耦合
      2. 1.3.2 共模噪声和差模噪声
    4. 1.4 EMC 注意事项
  3. 2热特性概述
    1. 2.1 PCB 传导和对流
    2. 2.2 连续顶层散热焊盘
    3. 2.3 覆铜厚度
    4. 2.4 散热过孔连接
    5. 2.5 散热过孔宽度
    6. 2.6 热设计总结
  4. 3过孔
    1. 3.1 过孔电流容量
    2. 3.2 过孔布局建议
      1. 3.2.1 多过孔布局
      2. 3.2.2 过孔的放置
  5. 4通用布线方法
  6. 5大容量电容器和旁路电容器的放置
    1. 5.1 大容量电容器的放置
    2. 5.2 电荷泵电容器
    3. 5.3 旁路电容器/去耦电容器的放置
      1. 5.3.1 靠近电源
      2. 5.3.2 靠近功率级
      3. 5.3.3 靠近开关电流源
      4. 5.3.4 靠近电流感测放大器
      5. 5.3.5 靠近稳压器
  7. 6MOSFET 的放置和功率级布线
    1. 6.1 功率 MOSFET 的常见封装
      1. 6.1.1 DPAK
      2. 6.1.2 D2PAK
      3. 6.1.3 TO-220
      4. 6.1.4 8 引脚 SON
    2. 6.2 MOSFET 布局配置
    3. 6.3 功率级布局设计
      1. 6.3.1 开关节点
      2. 6.3.2 大电流环路路径
      3. 6.3.3 VDRAIN 感测引脚
  8. 7电流感测放大器布线
    1. 7.1 单个高侧分流器
    2. 7.2 单个低侧分流器
    3. 7.3 两相和三相分流放大器
    4. 7.4 元件选型
    5. 7.5 放置
    6. 7.6 布线
    7. 7.7 有用工具（网络节点和差分对）
    8. 7.8 输入和输出滤波器
    9. 7.9 注意事项
  9. 8参考文献
  10. 9修订历史记录

6.3.3 VDRAIN 感测引脚

VDRAIN 引脚用于感测高侧 MOSFET 漏极电压。具有 VDRAIN 引脚的电机驱动器件必须在布线时考虑尽可能改善性能。供电电压首先进入高侧 MOSFET 的漏极，因此 VDRAIN 引脚的布线对布局至关重要。VDRAIN 引脚为电源 (VM) 提供开尔文连接，因此可在发生过流事件时监测高侧 MOSFET 的 VDS 电压（请参阅图 6-13）。功率级中的 VM 连接通常包含大型覆铜平面和宽布线以支持所需的电流，因此平面的额外电感和电压降会影响 VDS 测量精度。所以，应将 VDRAIN 引脚以单一布线的形式直接连接到外部功率 MOSFET 的漏极。TI 建议使用靠近漏极的网带连接组件来最大限度地减小会导致误报 OCP 故障的额外电感（请参阅图 6-14）。

GUID-33D92531-63D0-4FAF-98EC-47761700B878-low.gif图 6-13 VDRAIN 开尔文连接
GUID-0F692B4E-E6EC-4F29-BC9C-4198D1298706-low.gif图 6-14 网带连接组件高侧 MOSFET 漏极