ZHCAAE6B November   2018  – June 2021 DRV10866 , DRV10963 , DRV10964 , DRV10970 , DRV10974 , DRV10975 , DRV10983 , DRV10983-Q1 , DRV10987 , DRV11873 , DRV3205-Q1 , DRV3220-Q1 , DRV3245E-Q1 , DRV3245Q-Q1 , DRV8301 , DRV8302 , DRV8303 , DRV8304 , DRV8305 , DRV8305-Q1 , DRV8306 , DRV8307 , DRV8308 , DRV8312 , DRV8313 , DRV8320 , DRV8320R , DRV8323 , DRV8323R , DRV8332 , DRV8343-Q1 , DRV8350 , DRV8350R , DRV8353 , DRV8353R , DRV8412 , DRV8701 , DRV8702-Q1 , DRV8702D-Q1 , DRV8703-Q1 , DRV8703D-Q1 , DRV8704 , DRV8711 , DRV8800 , DRV8801 , DRV8801-Q1 , DRV8801A-Q1 , DRV8802 , DRV8802-Q1 , DRV8803 , DRV8804 , DRV8805 , DRV8806 , DRV8811 , DRV8812 , DRV8813 , DRV8814 , DRV8816 , DRV8818 , DRV8821 , DRV8823 , DRV8823-Q1 , DRV8824 , DRV8824-Q1 , DRV8825 , DRV8828 , DRV8829 , DRV8830 , DRV8832 , DRV8832-Q1 , DRV8833 , DRV8833C , DRV8834 , DRV8835 , DRV8836 , DRV8837 , DRV8837C , DRV8838 , DRV8839 , DRV8840 , DRV8841 , DRV8842 , DRV8843 , DRV8844 , DRV8846 , DRV8847 , DRV8848 , DRV8850 , DRV8860 , DRV8870 , DRV8871 , DRV8871-Q1 , DRV8872 , DRV8872-Q1 , DRV8873-Q1 , DRV8880 , DRV8881 , DRV8884 , DRV8885 , DRV8886 , DRV8886AT , DRV8889-Q1

 

  1.   商标
  2. 1接地优化
    1. 1.1 常用术语/连接
    2. 1.2 使用接地平面
      1. 1.2.1 两层板技术
    3. 1.3 常见问题
      1. 1.3.1 电容耦合和电感耦合
      2. 1.3.2 共模噪声和差模噪声
    4. 1.4 EMC 注意事项
  3. 2热特性概述
    1. 2.1 PCB 传导和对流
    2. 2.2 连续顶层散热焊盘
    3. 2.3 覆铜厚度
    4. 2.4 散热过孔连接
    5. 2.5 散热过孔宽度
    6. 2.6 热设计总结
  4. 3过孔
    1. 3.1 过孔电流容量
    2. 3.2 过孔布局建议
      1. 3.2.1 多过孔布局
      2. 3.2.2 过孔的放置
  5. 4通用布线方法
  6. 5大容量电容器和旁路电容器的放置
    1. 5.1 大容量电容器的放置
    2. 5.2 电荷泵电容器
    3. 5.3 旁路电容器/去耦电容器的放置
      1. 5.3.1 靠近电源
      2. 5.3.2 靠近功率级
      3. 5.3.3 靠近开关电流源
      4. 5.3.4 靠近电流感测放大器
      5. 5.3.5 靠近稳压器
  7. 6MOSFET 的放置和功率级布线
    1. 6.1 功率 MOSFET 的常见封装
      1. 6.1.1 DPAK
      2. 6.1.2 D2PAK
      3. 6.1.3 TO-220
      4. 6.1.4 8 引脚 SON
    2. 6.2 MOSFET 布局配置
    3. 6.3 功率级布局设计
      1. 6.3.1 开关节点
      2. 6.3.2 大电流环路路径
      3. 6.3.3 VDRAIN 感测引脚
  8. 7电流感测放大器布线
    1. 7.1 单个高侧分流器
    2. 7.2 单个低侧分流器
    3. 7.3 两相和三相分流放大器
    4. 7.4 元件选型
    5. 7.5 放置
    6. 7.6 布线
    7. 7.7 有用工具（网络节点和差分对）
    8. 7.8 输入和输出滤波器
    9. 7.9 注意事项
  9. 8参考文献
  10. 9修订历史记录

5.3.2 靠近功率级

对于功率级上的旁路电容，应使用小型陶瓷电容器来衰减由 MOSFET 开关操作引起的高频电流以及其他寄生电容。根据应用要求，这些电容器的电容值通常小于 10µF。

图 5-6 所示为具有这些电容的一个 H 桥示例。

GUID-64993509-C1FA-4857-9517-F895FF83B395-low.gif图 5-6 具有旁路电容的 H 桥示例