ZHCSIX8E October   2018  – August 2020 UCC23513

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议工作条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  额定功率
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 开关特性
    11. 6.11 绝缘特性曲线
    12. 6.12 典型特性
  7. 参数测量信息
    1. 7.1 传播延迟、上升时间和下降时间
    2. 7.2 IOH 和 IOL 测试
    3. 7.3 CMTI 测试
  8. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电源
      2. 8.3.2 输入级
      3. 8.3.3 输出级
      4. 8.3.4 保护特性
        1. 8.3.4.1 欠压锁定 (UVLO)
        2. 8.3.4.2 有源下拉
        3. 8.3.4.3 短路钳位
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 ESD 结构
  9. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 选择输入电阻器
        2. 9.2.2.2 栅极驱动器输出电阻器
        3. 9.2.2.3 估算栅极驱动器功率损耗
        4. 9.2.2.4 估算结温
        5. 9.2.2.5 选择 VCC 电容器
  10. 10电源相关建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
    3. 11.3 PCB 材料
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DWY|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

输出级

UCC23513 系列的输出级采用上拉结构,从而在电源开关导通转换的米勒平坦区期间最需要时(此时电源开关漏极或集电极电压经历 dV/dt)提供最高的峰值拉电流。输出级上拉结构具备一个 P 沟道 MOSFET 与一个额外的上拉 N 沟道 MOSFET(并联)。N 沟道 MOSFET 的功能是提供峰值源电流的短暂提升,从而实现快速导通。当输出状态从低变为高时,通过在短时间内短暂导通 N 沟道 MOSFET 来实现快速导通。该 N 沟道 MOSFET 的导通电阻 (RNMOS) 在激活时约为 5.1Ω。

表 8-1 UCC23513 和 UCC23513B 导通电阻
RNMOSROHROL单位
5.19.50.40Ω

ROH 参数是直流测量值,仅代表 P 沟道器件的导通电阻。此参数仅适用于 P 沟道器件,因为上拉 N 沟道器件在直流条件下保持在关断状态,并且仅在输出状态从低电平变为高电平时短暂导通。因此,在该短暂导通阶段 UCC235133 上拉级的有效电阻远低于 ROH 参数表示的有效电阻,从而能够更快地导通。导通阶段输出电阻是并联组合 ROH || RNMOS

UCC23513 中的下拉结构仅包含 N 沟道 MOSFET。由于可提供极低压降的 MOS 输出级,因此 VCC 和 VEE 之间的输出电压摆动能够实现轨到轨运行。

GUID-A7C6B157-8A33-4587-8E97-9C1712E4AF34-low.gif图 8-4 输出级