ZHCSJR0A October   2018  – MAY 2019 DRV8876

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      简化原理图
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值 - 通信
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 7 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 功能 说明
      1. 7.3.1 外部元件
      2. 7.3.2 控制模式
        1. 7.3.2.1 PH/EN 控制模式（PMODE = 逻辑低电平）
        2. 7.3.2.2 PWM 控制模式（PMODE = 逻辑高电平）
        3. 7.3.2.3 独立半桥控制模式（PMODE = 高阻抗）
      3. 7.3.3 电流检测和调节
        1. 7.3.3.1 电流检测
        2. 7.3.3.2 电流调节
          1. 7.3.3.2.1 固定关断时间电流斩波
          2. 7.3.3.2.2 逐周期电流斩波
      4. 7.3.4 保护电路
        1. 7.3.4.1 VM 电源欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.4.2 VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.4.3 OUT 过流保护 (OCP)
        4. 7.3.4.4 热关断 (TSD)
        5. 7.3.4.5 故障条件汇总
      5. 7.3.5 引脚图
        1. 7.3.5.1 逻辑电平输入
        2. 7.3.5.2 三电平输入
        3. 7.3.5.3 四电平输入
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 活动模式
      2. 7.4.2 低功耗睡眠模式
      3. 7.4.3 故障模式
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 主要应用
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计流程
          1. 8.2.1.2.1 电流检测和调节
          2. 8.2.1.2.2 功率耗散和输出电流能力
          3. 8.2.1.2.3 热性能
            1. 8.2.1.2.3.1 稳态热性能
            2. 8.2.1.2.3.2 瞬态热性能
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 备选应用
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计流程
          1. 8.2.2.2.1 电流检测和调节
        3. 8.2.2.3 应用曲线
  9. 9 电源建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
      1. 10.2.1 HTSSOP 布局示例
      2. 10.2.2 VQFN 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGT|16
  • PWP|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

4.5V ≤ VVM ≤ 37V，-40°C ≤ TJ ≤ 150°C（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源（VCP、VM）
IVMQ VM 睡眠模式电流 VVM = 24V、nSLEEP = 0V、TJ = 25°C 0.75 1 µA
nSLEEP = 0V 5 µA
IVM VM 活动模式电流 VVM = 24V、nSLEEP = 5V、
EN/IN1 = PH/IN2 = 0V		 3 7 mA
tWAKE 开通时间 VVM > VUVLO、nSLEEP = 5V 至活动模式 1 ms
tSLEEP 关断时间 nSLEEP = 0V 至睡眠模式 1 ms
VVCP 电荷泵稳压器电压 VCP 相对于 VM，VVM = 24V 5 V
fVCP 电荷泵开关频率 400 kHz
逻辑电平输入（EN/IN1、PH/IN2、nSLEEP）
VIL 输入逻辑低电压 VVM < 5V 0 0.7 V
VVM ≥ 5V 0 0.8
VIH 输入逻辑高电压 1.5 5.5 V
VHYS 输入滞后 200 mV
nSLEEP 50 mV
IIL 输入逻辑低电流 VI = 0V -5 5 µA
IIH 输入逻辑高电流 VI = 5V 50 75 µA
RPD 输入下拉电阻 至 GND 100 kΩ
三电平输入 (PMODE)
VTIL 三电平输入逻辑低电压 0 0.65 V
VTIZ 三电平输入高阻抗电压 0.9 1.1 1.2 V
VTIH 三电平输入逻辑高电压 1.5 5.5 V
ITIL 三电平输入逻辑低电流 VI = 0V –50 -32 µA
ITIZ 三电平输入高阻抗电流 VI = 1.1V -5 5 µA
ITIH 三电平输入逻辑高电流 VI = 5V 113 150 µA
RTPD 三电平下拉电阻 至 GND 44 kΩ
RTPU 三电平上拉电阻 至内部 5V 156 kΩ
四电平输入 (IMODE)
VQI2 四电平输入电平 1 电压至所设置的四电平 1 0 0.45 V
RQI2 四电平输入电平 2 电阻至 GND 至所设置的四电平 2 18.6 20 21.4 kΩ
RQI3 四电平输入电平 3 电阻至 GND 至所设置的四电平 3 57.6 62 66.4 kΩ
VQI4 四电平输入电平 4 电压至所设置的四电平 4 2.5 5.5 V
RQPD 四电平下拉电阻 至 GND 136 kΩ
RQPU 四电平上拉电阻 至内部 5V 68 kΩ
开漏输出 (nFAULT)
VOL 输出逻辑低电压 IOD = 5mA 0.3 V
IOZ 输出逻辑高电流 VOD = 5V -2 2 µA
驱动器输出（OUT1、OUT2）
RDS(on)_HS 高侧 MOSFET 导通电阻 VVM = 24V、IO = 1A、TJ = 25°C 350 420 mΩ
RDS(on)_LS 低侧 MOSFET 导通电阻 VVM = 24V、IO = -1A、TJ = 25°C 350 420 mΩ
VSD 体二极管正向电压 ISD = 1A 0.9 V
tRISE 输出上升时间 VVM = 24V，OUTx 上升 10% 至 90% 150 ns
tFALL 输出下降时间 VVM = 24V，OUTx 下降 90% 至 10% 150 ns
tPD 输入至输出传播延迟 EN/IN1、PH/IN2 至 OUTx 650 ns
tDEAD 输出死区时间 体二极管导通 300 ns
电流检测和调节（IPROPI、VREF）
AIPROPI 电流镜比例因数 1000 µA/A
AERR 电流镜比例误差 IOUT < 0.15A、
5.5V ≤ VVM ≤ 37V		 –7.5 7.5 mA
0.15A ≤ IOUT < 0.5A、
5.5V ≤ VVM ≤ 37V		 -5 5 %
0.5A ≤ IOUT ≤ 2A、5.5V ≤ VVM ≤ 37V、
-40℃ ≤ TJ < 125℃		 -4 4
0.5A ≤ IOUT ≤ 2A、5.5V ≤ VVM ≤ 37V、
-125℃ ≤ TJ < 150℃		 -5 5
tOFF 电流调节关断时间 25 µs
tDELAY 电流检测延迟时间 1.6 µs
tDEG 电流调节抗尖峰脉冲时间 0.6 µs
tBLK 电流调节消隐时间 1.1 µs
保护电路
VUVLO 电源欠压锁定 (UVLO) VVM 上升 4.3 4.45 4.6 V
VVM 下降 4.2 4.35 4.5 V
VUVLO_HYS 电源 UVLO 迟滞 100 mV
tUVLO 电源欠压抗尖峰脉冲时间 10 µs
VCPUV 电荷泵欠压锁定 VCP 相对于 VM，VVCP 下降 2.25 V
IOCP 过流保护跳闸点 3.5 5.5 A
tOCP 过流保护抗尖峰脉冲时间 3 µs
tRETRY 过流保护重试时间 2 ms
TTSD 热关断温度 160 175 190 °C
THYS 热关断滞后 20 °C
DRV8876 drv887x-ipropi-timing.gifFigure 1. 时序参数图