ZHCSJR0A October   2018  – MAY 2019 DRV8876

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      简化原理图
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值 - 通信
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 7 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 功能 说明
      1. 7.3.1 外部元件
      2. 7.3.2 控制模式
        1. 7.3.2.1 PH/EN 控制模式（PMODE = 逻辑低电平）
        2. 7.3.2.2 PWM 控制模式（PMODE = 逻辑高电平）
        3. 7.3.2.3 独立半桥控制模式（PMODE = 高阻抗）
      3. 7.3.3 电流检测和调节
        1. 7.3.3.1 电流检测
        2. 7.3.3.2 电流调节
          1. 7.3.3.2.1 固定关断时间电流斩波
          2. 7.3.3.2.2 逐周期电流斩波
      4. 7.3.4 保护电路
        1. 7.3.4.1 VM 电源欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.4.2 VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.4.3 OUT 过流保护 (OCP)
        4. 7.3.4.4 热关断 (TSD)
        5. 7.3.4.5 故障条件汇总
      5. 7.3.5 引脚图
        1. 7.3.5.1 逻辑电平输入
        2. 7.3.5.2 三电平输入
        3. 7.3.5.3 四电平输入
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 活动模式
      2. 7.4.2 低功耗睡眠模式
      3. 7.4.3 故障模式
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 主要应用
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计流程
          1. 8.2.1.2.1 电流检测和调节
          2. 8.2.1.2.2 功率耗散和输出电流能力
          3. 8.2.1.2.3 热性能
            1. 8.2.1.2.3.1 稳态热性能
            2. 8.2.1.2.3.2 瞬态热性能
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 备选应用
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计流程
          1. 8.2.2.2.1 电流检测和调节
        3. 8.2.2.3 应用曲线
  9. 9 电源建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
      1. 10.2.1 HTSSOP 布局示例
      2. 10.2.2 VQFN 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGT|16
  • PWP|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.4.3 OUT 过流保护 (OCP)

即使发生了硬短路事件，每个 MOSFET 上的模拟电流限制电路也会限制器件输出的峰值电流。

如果输出电流超过过流阈值 IOCP 且持续时间超过 tOCP，则会禁用 H 桥中的所有 MOSFET 并将 nFAULT 引脚驱动为低电平。可以通过 IMODE 引脚配置过流响应，如Table 6 中所示。

在自动重试模式下，MOSFET 会禁用，nFAULT 引脚将在 tRETRY 的持续时间内被驱动为低电平。在 tRETRY 之后，MOSFET 会根据 EN/IN1 和 PH/IN2 引脚的状态重新启用。如果过流条件仍然存在，则会重复此周期，否则器件将恢复正常运行。

在锁存模式下，会一直禁用 MOSFET 并将 nFAULT 引脚驱动为低电平，直到通过 nSLEEP 引脚或通过切断 VM 电源重置器件为止。

在独立半桥控制模式（PMODE = 高阻抗）中，OCP 行为略有改动。如果检测到过流事件，将只禁用相应的半桥并将 nFAULT 引脚驱动为低电平。另一个半桥会继续正常运行。这样，器件就可以在驱动独立的负载时管理独立的故障事件。如果在两个半桥中都检测到过流事件，将同时禁用两个半桥并将 nFAULT 引脚驱动为低电平。在自动重试模式下，两个半桥共享同一个过流重试计时器。如果两个半桥先后发生过流事件但 tRETRY 尚未过期，则第一个半桥的重试计时器会重置为 tRETRY；当此重试计时器过期之后，两个半桥将再次同时启用。