ZHCSJR0A October   2018  – MAY 2019 DRV8876

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      简化原理图
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值 - 通信
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 7 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 功能 说明
      1. 7.3.1 外部元件
      2. 7.3.2 控制模式
        1. 7.3.2.1 PH/EN 控制模式（PMODE = 逻辑低电平）
        2. 7.3.2.2 PWM 控制模式（PMODE = 逻辑高电平）
        3. 7.3.2.3 独立半桥控制模式（PMODE = 高阻抗）
      3. 7.3.3 电流检测和调节
        1. 7.3.3.1 电流检测
        2. 7.3.3.2 电流调节
          1. 7.3.3.2.1 固定关断时间电流斩波
          2. 7.3.3.2.2 逐周期电流斩波
      4. 7.3.4 保护电路
        1. 7.3.4.1 VM 电源欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.4.2 VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.4.3 OUT 过流保护 (OCP)
        4. 7.3.4.4 热关断 (TSD)
        5. 7.3.4.5 故障条件汇总
      5. 7.3.5 引脚图
        1. 7.3.5.1 逻辑电平输入
        2. 7.3.5.2 三电平输入
        3. 7.3.5.3 四电平输入
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 活动模式
      2. 7.4.2 低功耗睡眠模式
      3. 7.4.3 故障模式
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 主要应用
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计流程
          1. 8.2.1.2.1 电流检测和调节
          2. 8.2.1.2.2 功率耗散和输出电流能力
          3. 8.2.1.2.3 热性能
            1. 8.2.1.2.3.1 稳态热性能
            2. 8.2.1.2.3.2 瞬态热性能
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 备选应用
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计流程
          1. 8.2.2.2.1 电流检测和调节
        3. 8.2.2.3 应用曲线
  9. 9 电源建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
      1. 10.2.1 HTSSOP 布局示例
      2. 10.2.2 VQFN 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGT|16
  • PWP|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

10.1 布局指南

由于 DRV887x 系列器件是能够驱动高电流的集成式功率 MOSFET 器件，因此应特别注意布局设计和外部组件的放置。下面提供了一些设计和布局指南。

  • 对于 VM 至 GND 旁路电容器、VCP 至 VM 电荷泵储能电容器和电荷泵飞跨电容器，应使用低 ESR 陶瓷电容器。建议使用 X5R 和 X7R 类型的电容器。
  • VM 电源和 VCP、CPH、CPL 电荷泵电容器应放在尽可能靠近器件的位置，以便最大限度减小回路电感。
  • VM 电源大容量电容器可以是陶瓷电容器或电解电容器，但也应放在尽可能靠近器件的位置，以便最大限度减小回路电感。
  • VM、OUT1、OUT2 和 PGND 承载着从电源传输到输出、然后重新传回到接地的高电流。对于这些迹线，应使用厚金属布线（如果可行）。
  • PGND 和 GND 应同时直接连接到 PCB 接地平面上。不能将它们用于相互隔离用途。
  • 应通过热通路将器件散热焊盘连接到 PCB 顶层接地平面和内部接地平面（如果可用）上，以获得最强的 PCB 散热能力。
  • “封装图”一节中为热通路提供了建议的焊盘图案。
  • 应尽可能扩大连接到散热焊盘的铜平面面积，以确保获得最佳散热效果。