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UCC23711

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single channel isolated gate driver with opto compatible inputs and protection features

产品详情

Operating temperature range (°C) to Rating Catalog
Operating temperature range (°C) to Rating Catalog
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 高达 1500Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 36V 最大输出驱动电压 (VDD -VEE)
  • ±5A 驱动强度
  • 300V/ns 最小 CMTI
  • 具有 6.5V 阈值的 250ns 快速响应时间 DESAT 保护
  • 2.5A 内部有源米勒钳位
  • 在故障条件下提供 200mA 软关断
  • 过流警报 FLT
  • 故障复位机构:PWM 输入复位
  • 12V VDD UVLO
  • 100ns(最大)传播延迟和 30ns(最大)脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16DW 宽体封装、爬电距离和间隙距离 > 8mm
  • 工作结温范围:-40°C 至 150°C
  • 5kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 高达 1500Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 36V 最大输出驱动电压 (VDD -VEE)
  • ±5A 驱动强度
  • 300V/ns 最小 CMTI
  • 具有 6.5V 阈值的 250ns 快速响应时间 DESAT 保护
  • 2.5A 内部有源米勒钳位
  • 在故障条件下提供 200mA 软关断
  • 过流警报 FLT
  • 故障复位机构:PWM 输入复位
  • 12V VDD UVLO
  • 100ns(最大)传播延迟和 30ns(最大)脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16DW 宽体封装、爬电距离和间隙距离 > 8mm
  • 工作结温范围:-40°C 至 150°C

UCC23711 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于直流工作电压高达 1500VDC 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。UCC23711 具有高达 ±5A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧采用 SiO2 隔离技术与输出侧隔离,支持高达 1.5kVPK 峰值工作电压、10kVPK 峰值浪涌抗扰度,同时提供低器件间偏移及 >300V/ns 共模瞬态抗扰度。

UCC23711 集成了先进的保护功能,包括带软关断 (STO) 的 DESAT 过流保护、有源米勒效应钳位、故障诊断以及输入和输出侧电源 UVLO,旨在优化 SiC 和 IGBT 的开关特性与稳健性。

UCC23711 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于直流工作电压高达 1500VDC 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。UCC23711 具有高达 ±5A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧采用 SiO2 隔离技术与输出侧隔离,支持高达 1.5kVPK 峰值工作电压、10kVPK 峰值浪涌抗扰度,同时提供低器件间偏移及 >300V/ns 共模瞬态抗扰度。

UCC23711 集成了先进的保护功能,包括带软关断 (STO) 的 DESAT 过流保护、有源米勒效应钳位、故障诊断以及输入和输出侧电源 UVLO,旨在优化 SiC 和 IGBT 的开关特性与稳健性。

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技术文档

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* 数据表 适用于 SiC/IGBT 的 UCC23711 光电输入单通道隔离式保护栅极驱动器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 12月 23日
证书 UCC23711DWREVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2025年 8月 11日

设计和开发

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模拟工具

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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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