氮化镓 (GaN)：推动性能超越硅片

利用我们提供的各种功率级别 GaN 器件产品系列最大限度地提高功率密度和可靠性

我们提供氮化镓 (GaN) 电源器件和方便易用的模块，可满足新一代系统要求和我们的高质量和可靠性标准。

高功率密度和效率

GaN 技术使硅片设计的功率密度倍增，开关损耗降低了 80%，从而提高了系统效率。

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集成式

我们的 GaN 器件系列在同一封装中集成了 GaN FET、高速驱动器和内置保护功能。经优化的布局提供了易于使用的解决方案。

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稳健

我们的 GaN 器件通过了 2,000 万小时以上的器件和系统可靠性测试。高速过流和过热保护使设计者能够信心满满地采用 GaN 进行设计。

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GaN 是什么？

革新电力工程行业

氮化镓（或 GaN）正在为电力工程行业带来变革，它实现了以往硅 MOSFET 从未达到的高速度、高效率和更高功率密度。

GaN 固有的较低栅极和输出电容支持以兆赫兹级的开关频率运行，同时降低栅极和开关损耗，从而提高效率。不同于硅，GaN 不需要体二极管，因而消除了反向恢复损耗，并进一步提高了效率、减少了开关节点振铃和 EMI。

通过集成技术实现最高性能

我们的 GaN 系列解决方案集成了高速栅极驱动器、EMI 控制、过热和过流保护，同时具有 100ns 的响应时间。集成式器件使布局得以优化，能够最大限度地减少寄生电感、提高 dv/dt 抗扰性 (CMTI)，并缩小布板空间。

广泛的产品系列为几乎所有应用提供了易于使用的解决方案，以便于充分利用 GaN 技术的优势。