我们 GaN 技术的优势
开关速度比分立式 GaN FET 更快
我们具有集成驱动器的 GaN FET 可实现 150V/ns 的开关速度。这些开关速度与低电感封装相结合，可降低损耗、提供干净的开关功能并更大限度地减少振铃。
磁性元件更小、功率密度更高
我们的 GaN 器件具有更快的开关速度，可帮助您实现超过 500kHz 的开关频率，从而将磁性元件尺寸缩减高达 60%、提升性能并降低系统成本。
专为可靠性而构建
我们的 GaN 器件采用专有的硅基 GaN 工艺且已经过 4,000 多万小时的可靠性测试，并具备各种保护功能，旨在确保高压系统的安全。
为何选择 GaN
了解 GaN 技术
与传统的仅基于硅的解决方案相比，GaN 提供了更高的功率密度、更可靠的运行和更高的效率。请访问我们的技术页面，了解有关 GaN 作为功率晶体管技术的更多信息，探索特色 GaN 应用，聆听客户的反馈，亲身了解我们的 GaN 产品如何帮助您更大限度地减小下一次电源设计的重量、尺寸并降低成本。
技术资源
了解特色应用
采用 TI GaN 技术可达到 80 Plus® 钛金标准，实现 96.5% 的总能效以及超过 100W/in^3 的功率密度
使用我们的 GaN 器件设计支持存储、云应用、中央计算能力和更多功能的电信和服务器系统。我们的设计能够达到 80® Plus 钛金标准，并实现 99% 以上的功率因数校正 (PFC) 效率，可以帮助满足您对能效的设计要求。
优点
- GaN 在图腾柱无桥 PFC 拓扑中可实现 >99% 的效率
- 在隔离式直流/直流转换器中实现 >500kHz 的开关频率，从而缩小磁性元件尺寸
- 集成的栅极驱动器可减少寄生损耗并使系统级设计更简单
特色资源
- PMP20873 – 效率高达 99% 且基于 GaN 的 1kW CCM 图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器参考设计
- TIDA-010062 – 1-kW, 80 plus titanium, GaN CCM totem pole bridgeless PFC and GaN half-bridge LLC reference design
- LMG3422R030 – 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET
- LMG3422R050 – 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET
- LMG3411R150 – 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN
- 提高 GaN 器件功率转换效率的设计注意事项 – 更多文献资料
- 使用 GaN 设计效率高达 99% 的图腾柱 PFC – 视频系列
借助 TI GaN 技术，可在双向交流/直流功率转换系统中实现超过 1.2kW/L 的功率密度
使用我们的 GaN 器件开发由太阳能和风能供电的系统，该器件能够帮助您设计更小、更高效的交流/直流逆变器和整流器以及直流/直流逆变器。借助支持 GaN 技术的双向直流/直流转换，将储能系统集成到光伏逆变器中来减少对电网能源的依赖。
优势
- 比现有交流/直流和直流/直流转换器的功率密度高 3 倍 (>1.2kW/L) 且重量更轻。
- 与 SiC FET 相比，GaN 的 140kHz 快速开关属性将功率密度提高了 20%
- 由于采用较低成本的磁性元件，具有和 2 级 SiC 拓扑相同的系统成本
特色资源
- TIDA-010210 – 基于 GaN 的 11kW 双向三相 ANPC 参考设计
- LMG3422R030 – 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET
- LMG3522R030-Q1 – 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET
- LMG3422R050 – 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET
采用 TI GaN 技术，可在电池测试仪系统中实现更高的通道密度和更小的交流/直流转换器尺寸
借助我们具有集成栅极驱动器的 GaN FET 缩小交流/直流电源的尺寸。我们 GaN 器件的开关频率高于 MOSFET 和 SiC FET，大幅提高了测试设备的测试仪通道密度并缩短了电源瞬态响应时间。
优点
- GaN 在图腾柱无桥 PFC 拓扑中可实现 >99% 的效率
- 在直流/直流级中具有 >200kHz 的开关频率，可在 1ms 内实现更快的充电到放电转换
- 集成的栅极驱动器可减少寄生损耗，使系统级设计更简单
特色资源
- TIDM-02008 – 采用 C2000™ MCU 的双向高密度 GaN CCM 图腾柱 PFC
- PMP40690 – 采用 C2000™ MCU 和 GaN 的 4kW 交错式 CCM 图腾柱无桥 PFC 参考设计
- LMG3422R050 – 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET
- LMG3410R070 – 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN
采用 TI GaN 技术在电动汽车中实现高功率密度
混合动力汽车和电动汽车的新一代车载充电器 (OBC) 及直流/直流降压转换器将使用 GaN 功率器件，用于提高开关频率并缩小磁性元件尺寸。与基于硅和 SiC 的 OBC 相比，这种更高的开关频率和更小的尺寸可提高功率密度。
优点
- 3.8kW/L 的功率密度表示在同一容量下的功率比 SiC 大
- >500kHz 的 CLLLC 开关频率和 120kHz 的 PFC 开关频率
- 96.5% 的组合系统级效率
- 集成栅极驱动器简化了系统级设计
特色资源
- LMG3522R030-Q1 – 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的汽车类 650V 30mΩ GaN FET
- PMP22650 Test Report – 测试报告
- 汽车 650V GaN 功率级顶部冷却 QFN 12x12 封装的热设计和性能 – 更多文献资料
- POWERSTAGE-DESIGNER – 适用于常用开关模式电源的 Power Stage Designer™ 软件工具
借助我们的 GaN 器件，可在加热、通风和空调 (HVAC) 及电器的 PFC 功率级中实现更高的功效和更小的外形尺寸
加热、通风和空调 (HVAC) 系统需要功率因数校正 (PFC) 功率级来符合 EN6055 等新能源标准要求。与绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 相比，GaN 功率级具有更高的效率，从而缩小磁性元件和散热器尺寸并降低总系统成本。
优点
- 高达 60kHz 的高开关频率可减小磁性元件的尺寸
- 开关损耗降低，可使功率级实现 >99% 的效率
- 小尺寸和自然冷却能力可以缩小设计尺寸并降低成本
特色资源
- TIDA-010203 – 采用 C2000 和 GaN 的 4kW 单相图腾柱 PFC 参考设计
- TIDA-010236 – 4kW 低成本 GaN Totempole PFC 参考设计
- LMG3422R030 – 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET
- LMG3422R050 – 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET
设计和开发资源
基于 GaN 的 11kW 双向三相 ANPC 参考设计
此参考设计提供了用于实现基于氮化镓 (GaN) 的三级三相 ANPC 逆变器功率级设计模板。使用快速开关型功率器件可实现 100kHz 的更高开关频率，不仅减小了滤波器磁性元件的尺寸，还提高了功率级的功率密度。多级拓扑允许在高达 1000V 的较高直流总线电压下使用额定电压为 600V 的功率器件。较低的开关电压应力可降低开关损耗，从而使峰值效率达到 98.5%。