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电源管理

氮化镓 (GaN):推动性能超越芯片界限

利用我们各种功率级别的 GaN 器件产品系列,更大限度地提高功率密度和可靠性

我们的氮化镓 (GaN) FET 系列具有集成的栅极驱动器,可提供高效的 GaN 解决方案、使用寿命可靠性以及成本优势。GaN 晶体管的开关速度可能比硅 MOSFET 快得多,因此可以实现更低的开关损耗。我们的 GaN 晶体管正在广泛应用于电信、服务器、电机驱动器、笔记本电脑适配器和电动汽车的车载充电器等各种应用。


彻底改变电源工程世界

GaN 固有的较低栅极和输出电容支持以兆赫兹级的开关频率运行,这将降低栅极和开关损耗,从而提高效率。


速度加倍,损耗减半

GaN 的集成式驱动器可实现超过 150V/ns 的开关速度,因此损耗比分立式 GaN FET 减少了一半。这与我们的低电感封装相结合,可在每个电源应用中提供干净的开关和超小的振铃。


寿命可靠性

TI 的硅基 GaN 工艺利用我们所有的内部制造设施进行制造、组装和测试,从而充分利用内部拥有的产能并更大限度地提高产品质量。

电源发展趋势

在我们的日常工作中,电源管理对实现电子元件的进一步集成至关重要。数十年来,TI 致力于开发新的工艺、封装和电路设计先进技术,从而为您的设计提供出色的电源器件。查看我们的以下特色 GaN 器件,它们可帮助您应对功率密度挑战。

高功率密度且具有集成驱动器和保护功能的 GaN FET

GaN FET 具有优于传统硅 FET 的固有性能,这使得工程师能够突破电源设计的界限,达到新的功率密度和效率水平。从交流/直流电源等消费类应用一直到功率为数千瓦的三相转换器,都可通过使用 GaN 来减少这些电源设计的重量、尺寸和成本,同时降低能源消耗。GaN 的高速开关特性正在改变当今电源系统的现状,使得超薄电源、电机驱动集成机器人等市场趋势得以形成,并在下一代数据中心和 5G 整流器中实现 2 倍以上的功率密度。

LMG3410R070

具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN

LMG3422R050

具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET

LMG3422R030

具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 30mΩ GaN FET

特色氮化镓 (GaN) 参考设计

效率高达 98.7% 的 1MHz CrM GaN PFC 参考设计

此 PFC 设计可在以 1MHz 频率进行开关的同时,提供 270W/in^3 的功率密度和 98.7% 峰值效率。2 级交错式 1.6kW 设计非常适合许多空间受限的应用,如服务器、电信和工业电源。

适用于高速电机驱动器的 48V/10A 三相 GaN 逆变器设计

此设计采用低电压、100kHz 驱动器和低电感无刷电机,能够更大限度地减少电机中的损耗和扭矩纹波,并实现 98.5% 的效率。

适用于伺服驱动器的 200V 交流三相 GaN 逆变器设计

此设计的效率达到了 98%,可驱动功率高达 2kW 的 200V 交流伺服电机,它可使低电感电机以超低的电流纹波进行驱动,适用于精细的位置控制应用。

汽车 GaN

与现有的 Si 或 SiC 解决方案相比,TI 新推出的汽车 GaN FET 可帮助将电动汽车 (EV) 车载充电器和直流/直流转换器的尺寸减小 50%,从而以更低的设计成本为电动汽车提供更长的电池寿命并提高系统可靠性。

请求访问有关 LMG3522R030-Q1 和 LMG3525R030-Q1 的更多信息,包括数据表、应用手册和 EVM 是否可订购。

GaN 促进电动汽车的发展

我们的 GaN FET 具有:

  • 可快速开关的 2.2MHz 集成栅极驱动器
  • 两倍的功率密度,可实现 99% 的效率
  • 比现有解决方案减小了 59% 的功率磁体尺寸

访问我们的新闻稿公司博客以了解更多信息。

高效且可靠的 GaN

TI 的 GaN 集成方法通过紧凑的单芯片解决方案简化了设计,通过经优化的栅极驱动布局提高了效率,并通过集成过流保护功能和 4,000 万小时的器件可靠性测试确保了高可靠性。借助 30mΩ 至 150mΩ 的器件,我们可提供适合各种应用的 GaN 解决方案。