氮化镓 (GaN)：推动性能超越芯片界限

利用我们各种功率级别的 GaN 器件产品系列，更大限度地提高功率密度和可靠性

我们的氮化镓 (GaN) FET 系列具有集成的栅极驱动器，可提供高效的 GaN 解决方案、使用寿命可靠性以及成本优势。GaN 晶体管的开关速度可能比硅 MOSFET 快得多，因此可以实现更低的开关损耗。我们的 GaN 晶体管正在广泛应用于电信、服务器、电机驱动器、笔记本电脑适配器和电动汽车的车载充电器等各种应用。

彻底改变电源工程世界

GaN 固有的较低栅极和输出电容支持以兆赫兹级的开关频率运行，这将降低栅极和开关损耗，从而提高效率。

GaN 优势

速度加倍，损耗减半

GaN 的集成式驱动器可实现超过 150V/ns 的开关速度，因此损耗比分立式 GaN FET 减少了一半。这与我们的低电感封装相结合，可在每个电源应用中提供干净的开关和超小的振铃。

GaN 性能

寿命可靠性

TI 的硅基 GaN 工艺利用我们所有的内部制造设施进行制造、组装和测试，从而充分利用内部拥有的产能并更大限度地提高产品质量。

GaN 可靠性

电源发展趋势

在我们的日常工作中，电源管理对实现电子元件的进一步集成至关重要。数十年来，TI 致力于开发新的工艺、封装和电路设计先进技术，从而为您的设计提供出色的电源器件。查看我们的以下特色 GaN 器件，它们可帮助您应对功率密度挑战。

高功率密度且具有集成驱动器和保护功能的 GaN FET

GaN FET 具有优于传统硅 FET 的固有性能，这使得工程师能够突破电源设计的界限，达到新的功率密度和效率水平。从交流/直流电源等消费类应用一直到功率为数千瓦的三相转换器，都可通过使用 GaN 来减少这些电源设计的重量、尺寸和成本，同时降低能源消耗。GaN 的高速开关特性正在改变当今电源系统的现状，使得超薄电源、电机驱动集成机器人等市场趋势得以形成，并在下一代数据中心和 5G 整流器中实现 2 倍以上的功率密度。