数据表
TPS51604
- 针对已优化连续传导模式 (CCM) 的精简死区时间驱动电路
- 针对已优化断续传导模式 (DCM) 效率的自动零交叉检测
- 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式
- 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟
- 针对超级本 (Ultrabook) FET 的集成 BST 开关驱动强度
- 针对 5V FET 驱动而进行了优化
- 转换输入电压范围 (VIN)：4.5V 至 28V
- 2mm × 2mm 8 引脚 WSON 散热垫封装
TPS51604 驱动器针对高频 CPU VCORE 应用 进行了优化。具有 降低 死区时间驱动和自动零交越等高级特性，可用于在整个负载范围内优化效率。
SKIP 引脚提供 CCM 操作选项，以支持输出电压的受控管理。此外，TPS51604 支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制 (PWM) 输入三态，静态电流被减少至 130µA，并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时，电流被减少至 8µA（恢复切换通常需要 20µs）。此驱动器与合适的德州仪器 (TI) 控制器配对使用，能够成为出色的高性能电源系统。
TPS51604 器件采用节省空间的耐热增强型 8 引脚 2mm x 2mm WSON 封装，工作温度范围为 -40°C 至 105°C。
技术文档
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPS51604用于高频 CPU 内核功率的同步降压 FET 驱动器 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2017年 11月 3日 |
| 应用简报 | 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
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| 更多文献资料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
| 更多文献资料 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 | 最新英语版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 |
设计和开发
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参考设计
TIDA-00448 — 具有增强型数字隔离器的灵活型高电流 IGBT 栅极驱动器参考设计
TIDA-00448 参考设计是带有双极性闸极电压的隔离式 IGBT 闸极驱动程序，旨在用于驱动所需高峰值闸极电流高达 40 A 的大功率 IGBT。TI 的 NexFET 电源块就在此范围内，具有相同的封装，能让单个设计用于具有不同额定功率的多驱动器平台。数字隔离器用于实现瞬态浪涌额定值为 8kV 且共模瞬变抗扰度 (CMTI) 为 50kV 的增强型隔离。该设计包含了使用快速瞬态响应比较器的 DESAT 保护。DESAT 检测阈值和软关闭时间都是可配置的。该设计可连接来自 3.3 V 和 5 V MCU 的 PWM，并同时连接故障、重置和 UVLO 反馈。
| 封装 | 引脚 | 下载 |
|---|---|---|
| WSON (DSG) | 8 | 查看选项 |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点