TPS51604
- 针对已优化连续传导模式 (CCM) 的精简死区时间驱动电路
- 针对已优化断续传导模式 (DCM) 效率的自动零交叉检测
- 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式
- 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟
- 针对超级本 (Ultrabook) FET 的集成 BST 开关驱动强度
- 针对 5V FET 驱动而进行了优化
- 转换输入电压范围 (VIN)：4.5V 至 28V
- 2mm × 2mm 8 引脚 WSON 散热垫封装
TPS51604 驱动器针对高频 CPU VCORE 应用 进行了优化。具有 降低 死区时间驱动和自动零交越等高级特性，可用于在整个负载范围内优化效率。
SKIP 引脚提供 CCM 操作选项，以支持输出电压的受控管理。此外，TPS51604 支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制 (PWM) 输入三态，静态电流被减少至 130µA，并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时，电流被减少至 8µA（恢复切换通常需要 20µs）。此驱动器与合适的德州仪器 (TI) 控制器配对使用，能够成为出色的高性能电源系统。
TPS51604 器件采用节省空间的耐热增强型 8 引脚 2mm x 2mm WSON 封装，工作温度范围为 -40°C 至 105°C。
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPS51604用于高频 CPU 内核功率的同步降压 FET 驱动器 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2017年 11月 3日 |
| 应用简报 | 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 应用简报 | 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 更多文献资料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
| 更多文献资料 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 | 最新英语版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 |
设计与开发
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参考设计
TIDA-00448 — 采用增强型数字隔离器的灵活型高电流 IGBT 栅极驱动器参考设计
TIDA-00448 参考设计是一款具有双极栅极电压的隔离式 IGBT 栅极驱动器，用于驱动需要高达 40A 高峰值栅极电流的高功率 IGBT。TI 可在此范围内扩展的 NexFET 电源块采用同一封装，使单一设计可用于具有不同额定功率的多个驱动平台。该设计采用一个数字隔离器实现增强型隔离，其瞬态浪涌额定值为 8kV 且 CMTI 为 50kV。此设计使用快速瞬态响应比较器，集成了 DESAT 保护。DESAT 检测阈值和软关断时间均可配置。该设计可连接来自 3.3V 和 5V MCU 的 PWM，以及故障、复位和 UVLO 反馈。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WSON (DSG) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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