ZHCSE28A August 2015 – May 2016 CSD19537Q3
PRODUCTION DATA.
这款 100V、12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成大大降低功率转换 损耗。
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TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
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VDS | 漏源电压 | 100 | V | |
Qg | 栅极电荷总量 (10V) | 16 | nC | |
Qgd | 栅极电荷(栅极到漏极) | 2.9 | nC | |
RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = 6V | 13.8 | mΩ |
VGS = 10V | 12.1 | mΩ | ||
VGS(th) | 阈值电压 | 3 | V |
器件 | 包装介质 | 数量 | 封装 | 运输 |
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CSD19537Q3 | 13 英寸卷带 | 2500 | SON 3.3 x 3.3mm 塑料封装 |
卷带封装 |
CSD19537Q3T | 13 英寸卷带 | 250 |
TA = 25°C | 值 | 单位 | |
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VDS | 漏源电压 | 100 | V |
VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
ID | 持续漏极电流(受封装限制) | 50 | A |
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得 | 53 | A | |
持续漏极电流(1) | 9.7 | A | |
IDM | 脉冲漏极电流(2) | 219 | A |
PD | 功率耗散(1) | 2.8 | W |
功率耗散,TC = 25°C | 83 | W | |
TJ, Tstg |
工作结温, 储存温度 |
-55 至 150 | °C |
EAS | 雪崩能量,单一脉冲 ID = 33A,L = 0.1mH,RG = 25Ω |
55 | mJ |
RDS(on) 与 VGS 对比![]() |
栅极电荷![]() |