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UCC5350

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产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Basic, Reinforced Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 850, 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7071 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 9.5 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
Number of channels 1 Isolation rating Basic, Reinforced Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 850, 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7071 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Split output Output VCC/VDD (min) (V) 9.5 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 15 Propagation delay time (µs) 0.065 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Rise time (ns) 10 Fall time (ns) 10 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) SOIC (DWV) 8 67.275 mm² (5.85 mm × 11.5 mm)
  • 特性选项
    • 分离输出 (UCC53x0S)
    • 以 GND2 为基准的 UVLO (UCC53x0E)
    • 米勒钳位选项 (UCC53x0M)
  • 8 引脚 D（4mm 爬电）和 DWV（8.5mm 爬电）封装
  • 60ns（典型值）传播延迟
  • 100kV/µs 最小 CMTI
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 3V 至 15V 输入电源电压
  • 驱动器电源电压高达 33V
    • 8V 和 12V UVLO 选项
  • 输入引脚具有负 5V 电压处理能力
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 7000VPK 隔离 DWV（计划）和 4242VPK 隔离 D
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000VRMS DWV 和 3000VRMS D 隔离等级
    • 符合 GB4943.1-2011 D 和 DWV 标准的 CQC 认证（计划）
  • CMOS 输入
  • 工作温度：-40°C 至 +125°C
  • 特性选项
    • 分离输出 (UCC53x0S)
    • 以 GND2 为基准的 UVLO (UCC53x0E)
    • 米勒钳位选项 (UCC53x0M)
  • 8 引脚 D（4mm 爬电）和 DWV（8.5mm 爬电）封装
  • 60ns（典型值）传播延迟
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  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 3V 至 15V 输入电源电压
  • 驱动器电源电压高达 33V
    • 8V 和 12V UVLO 选项
  • 输入引脚具有负 5V 电压处理能力
  • 安全相关认证：
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 7000VPK 隔离 DWV（计划）和 4242VPK 隔离 D
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5000VRMS DWV 和 3000VRMS D 隔离等级
    • 符合 GB4943.1-2011 D 和 DWV 标准的 CQC 认证（计划）
  • CMOS 输入
  • 工作温度：-40°C 至 +125°C

UCC53x0 是单通道隔离式栅极驱动器系列，旨在驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。UCC53x0M 将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流造成假接通。UCC53x0E 的 UVLO2 以 GND2 为基准，以获取真实的 UVLO 读数。

UCC53x0 采用 4mm SOIC-8 (D) 或 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装，可分别支持高达 3kVRMS 和 5kVRMS 的隔离电压。凭借这些各种不同的选项，UCC53x0 系列成为电机驱动器和工业电源的理想之选。

与光耦合器相比，UCC53x0 系列的器件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且 CMTI 更高。

UCC53x0 是单通道隔离式栅极驱动器系列，旨在驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 和 GaN FET (UCC5350SBD)。UCC53x0S 提供分离输出，可分别控制上升和下降时间。UCC53x0M 将晶体管的栅极连接到内部钳位，以防止米勒电流造成假接通。UCC53x0E 的 UVLO2 以 GND2 为基准，以获取真实的 UVLO 读数。

UCC53x0 采用 4mm SOIC-8 (D) 或 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装，可分别支持高达 3kVRMS 和 5kVRMS 的隔离电压。凭借这些各种不同的选项，UCC53x0 系列成为电机驱动器和工业电源的理想之选。

与光耦合器相比，UCC53x0 系列的器件间偏移更低，传播延迟更小，工作温度更高，并且 CMTI 更高。
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* 数据表 UCC53x0 单通道隔离式栅极驱动器 PDF | HTML PDF | HTML 2024-8-2
证书 UCC53xx CQC Certificate (DWV Package - TAI) (Rev. A) 2026-9-24
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应用简报 Enable Function with Unused Differential Input 2018-7-11
功能安全信息 Isolation in solar power converters: Understanding the IEC62109-1 safety standar (Rev. A) 2018-5-18
用户指南 UCC53x0xD Evaluation Module 2017-6-21
模拟设计期刊 适用于隔离栅极驱动器的共模瞬态抗扰度 英语版 2015-11-16

设计与开发

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评估板

UCC5320SCEVM-058 — UCC5320SC 隔离式栅极驱动器评估模块

UCC5320SCEVM 是用于评估 UCC53xx 系列器件的评估模块，用户可根据所用的器件灵活地将驱动器配置为分离输出、米勒箝位或 UVLO。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项，支持使用超少的外部元件来评估相应器件。
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

UCC5350MCD PSpice Transient Model (Rev. A)

SLLM368A.ZIP (54 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC5350MCD Unencrypted PSpice Transient Model (Rev. A)

SLLM367A.ZIP (3 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC5350SBD PSpice Transient Model

SLLM379.ZIP (53 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC5350SBD Unencrypted PSpice Transient Model

SLLM378.ZIP (3 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
计算工具

SLURAY7 — UCC53x0 Gate Resistor and Thermal Calculator Tool

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PMP23126 — 具有有源钳位、功率密度大于 270W/in3 的 3kW 相移全桥参考设计

此参考设计是基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB)，旨在实现最大的功率密度。该设计具有一个有源钳位，可尽可能地减小次级同步整流器 MOSFET 的电压应力，以使用具有更好品质因数 (FoM) 的额定电压较低的 MOSFET。PMP23126 在初级侧使用我们的 30mΩ GaN，在次级侧使用硅 MOSFET。与 Si MOSFET 相比，LMG3522 顶部冷却 GaN 集成了驱动器和保护功能，可在更宽的工作范围内保持 ZVS，从而实现更高的效率。PSFB 以 100kHz 的频率运行，可实现 97.74% 的峰值效率。

包含在电机控制 SDK 中的 MathWorks MATLAB (...)

支持的产品和硬件
参考设计

PMP23331 — 适用于服务器应用的 19W、5V 和 12V 交流/直流多输出、ZVS 反激式参考设计

此参考设计将通用交流输入转换为隔离式 12V、1.5A 输出和隔离式 5V、0.2A 输出。该设计可实现 92.7% 的峰值效率。此参考设计采用 UCC28781-Q1 零电压开关 (ZVS) 反激式控制器来最大限度降低开关损耗，采用 UCC5350 增强型隔离式栅极驱动器来驱动同步整流器 MOSFET，并采用 TPS629203 具有低静态电流的同步降压转换器。
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PMP23475 — 具有零电流检测功能、基于 GaN 的 5kW 两相图腾柱 PFC 参考设计

此参考设计是一款高密度、高效率的 5kW 功率因数校正 (PFC) 转换器，采用了 TI 高性能氮化镓 (GaN) 电源开关。峰值系统效率为 99.2%，该数值在 120W/in3 开放式框架功率密度下测得。该功率级在基于零电流检测 (ZCD) 的全新控制机制中采用两相图腾柱 PFC。新的控制方法采用变频工作，并在所有工作行条件下保持零电压开关 (ZVS)。该控制通过 TMS320F280039C 高性能微控制器和集成了 ZCD 检测感测功能的 LMG3527R030 GaN 场效应晶体管 (FET) 来实现。转换器的工作频率范围约介于 100kHz 和 800kHz 之间。
支持的产品和硬件
参考设计

PMP41130 — 1.2kW 硬开关全桥 (HSFB) 电信电源单元

PMP41130 使用 UCD3138064、LMG3100 和 LMG2175 器件展示了一款具有数字控制功能的对称硬开关全桥直流/直流电源转换器。此参考设计包括硬开关全桥 (HSFB) 转换器所需的控制功能。PMP41130 接受 36VDC 至 60VDC 的直流输入，并输出标称 48VDC，其中满载输出功率为 1200W（或最大输出电流为 25A）。在 36V 输入电压和 600W 输出条件下实现了 96.7% 的峰值效率。

支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-010257 — 基于 Vienna 整流器的 10kW 三相功率因数校正参考设计

高功率三相功率因数校正应用（例如家用电器、电动汽车 (EV) 充电器和通信电源整流器）中使用了 Vienna 整流器电源拓扑。整流器的控制设计可能很复杂。该参考设计说明了使用 C2000™ 微控制器 (MCU) 控制功率级的方法。该设计还可基于图形用户界面 (GUI) 实现对 Vienna 整流器的监测和控制。供该设计使用的硬件和软件可帮助缩短产品上市时间。
支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-01420 — 适用于工业驱动器的基本隔离式三相紧凑型功率级参考设计

该用于工业驱动器的三相紧凑型功率级参考设计使用支持基本电容隔离要求的 UCC53xx 栅极驱动器，可通过光耦合器提供更长的使用寿命和更佳的传播延迟匹配，从而最大程度地减小逆变器死区失真和损耗。如有需要，可在控制器之间使用另一级别的基本隔离，以实现系统级增强型隔离。该方法可优化系统的隔离成本并带来额外的紧凑优势。该设计还演示了栅极驱动器的互锁特性，可在击穿期间保护 IGBT。该参考设计使用 F28379 Delfino 控制卡生成 PWM 信号，适用于控制三相逆变器。
支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-01599 — 适用于工业驱动器且经过 TÜV SÜD 评估的安全转矩关闭 (STO) 参考设计 (IEC 61800-5-2)

此参考设计概述了具有 CMOS 输入隔离式 IGBT 栅极驱动器的三相逆变器中使用的安全转矩关闭 (STO) 子系统。该 STO 子系统采用双通道架构 (1oo2)，硬件容错能力为 1 (HFT=1)。它是按照失电跳闸概念实现的。当双路 STO 输入（STO_1 和 STO_2）变为低电平有效时，将通过负载开关切断六个隔离式 IGBT 栅极驱动器的初级侧和次级侧相应电源，从而停止控制电机并为其供电。此 STO 参考设计 (1oo2) 经过 TÜV SÜD 评估，通常符合 SIL 3 和 PL e/Cat.3.
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参考设计

TIDA-01606 — 11kW 双向三相三级（T 型）逆变器和 PFC 参考设计

此参考设计概述了如何实现基于 SiC 的双向三级三相有源前端 (AFE) 逆变器和功率因数校正 (PFC) 级。此设计使用高达 90kHz 的开关频率和 LCL 输出滤波器来减小磁性元件的尺寸。峰值效率达到了 98.6%。此设计展示了如何在 DQ 域中实现完整的三相 AFE 控制。这款双向转换器可实现直流快速充电和车辆到电网 (V2G) 应用。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
SOIC (DWV) 8 Ultra Librarian
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推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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