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UCC27211

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具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器

产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4.5 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 7.2 Fall time (ns) 5.5 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -20 Features Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4.5 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 7.2 Fall time (ns) 5.5 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -20 Features Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) WSON (DPR) 10 16 mm² (4 mm × 4 mm) HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) VSON (DRM) 8 16 mm² (4 mm × 4 mm)
  • 通过独立输入驱动高侧和低侧配置中的两个 N 通道 MOSFET
  • 最大启动电压 120VDC
  • 3.7A 输出拉电流、4.5A 输出灌电流
  • 输入引脚能够耐受 –10V 至 20V 的电压,并且与电源电压范围无关
  • TTL 兼容输入版本
  • 8V 至 17V VDD 工作范围(绝对最大值为 20V)
  • 1000pF 负载时上升时间为 7.2ns,下降时间为 5.5ns
  • 快速传播延迟时间(典型值 20ns)
  • 4ns 延迟匹配
  • 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
  • 提供所有业界通用封装(SOIC-8、PowerPAD™ SOIC-8、4mm × 4mm SON-8 和 4mm × 4mm SON-10)
  • 额定温度范围为 –40°C 至 150°C
  • 通过独立输入驱动高侧和低侧配置中的两个 N 通道 MOSFET
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  • 3.7A 输出拉电流、4.5A 输出灌电流
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  • 快速传播延迟时间(典型值 20ns)
  • 4ns 延迟匹配
  • 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
  • 提供所有业界通用封装(SOIC-8、PowerPAD™ SOIC-8、4mm × 4mm SON-8 和 4mm × 4mm SON-10)
  • 额定温度范围为 –40°C 至 150°C

UCC27211 驱动器基于常用的 UCC27201 MOSFET 驱动器,但性能得到了显著提升。峰值输出上拉和下拉电流已提高至 3.7A 拉电流和 4.5A 灌电流,因此可在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。现在,输入结构能够直接处理 -10VDC,这提高了耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有 20V 的最大额定值。

开关节点(HS 引脚)最高可处理 –(24–VDD)V 电压,从而保护高侧通道不受固有负电压导致的寄生电感和杂散电容影响。UCC27211(TTL 输入)具有更高的输入迟滞,因而支持连接至具有增强型抗噪性能的模拟或数字 PWM 控制器。

低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了 4ns 的延迟匹配。由于使用了一个额定电压为 120V 的片上自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。

高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。

UCC27211 驱动器基于常用的 UCC27201 MOSFET 驱动器,但性能得到了显著提升。峰值输出上拉和下拉电流已提高至 3.7A 拉电流和 4.5A 灌电流,因此可在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。现在,输入结构能够直接处理 -10VDC,这提高了耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有 20V 的最大额定值。

开关节点(HS 引脚)最高可处理 –(24–VDD)V 电压,从而保护高侧通道不受固有负电压导致的寄生电感和杂散电容影响。UCC27211(TTL 输入)具有更高的输入迟滞,因而支持连接至具有增强型抗噪性能的模拟或数字 PWM 控制器。

低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了 4ns 的延迟匹配。由于使用了一个额定电压为 120V 的片上自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。

高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。

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设计与开发

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??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
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限制:
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无货
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