OPA4H014-SEP
Radiation-tolerant, 11MHz, low-noise, precision rail-to-rail output JFET amplifier
OPA4H014-SEP
- 抗辐射
- 单粒子锁定 (SEL) 对于 43MeV•cm2/mg 的抗扰度
- 在 30 krad(Si) 的条件下无 ELDRS
- 每个晶圆批次的 RLAT 总电离剂量 (TID) 高达 30 krad(Si)
- 增强型航天塑料
- Au 键合线和 NiPdAu 铅涂层
- 采用增强型模塑化合物实现低释气
- 制造、组装和测试一体化基地
- 延长了产品生命周期
- 延长了产品变更通知周期
- 产品可追溯性
- 非常低的温漂:1 µV/°C(最大值)
- 极低的偏移:120 µV
- 低输入偏置电流:10 pA(最大值)
- 低噪声:5.1 nV/√Hz
- 压摆率:20 V/µs
- 低电源电流:2 mA(最大值)
- 输入电压范围包括 V– 电源
- 宽电源电压范围:4.5V 至 18V
OPA4H014-SEP 是一款低功耗 JFET 输入运算放大器,具有良好漂移性能和较低的输入偏置电流。凭借其包括 V– 在内的输入范围和轨至轨输出,设计人员可以利用 JFET 放大器的低噪声特性,同时还可以连接到单电源精密模数转换器 (ADC) 和数模转换器 (DAC)。
OPA4H014-SEP 可实现 11MHz 单位增益带宽和 20V/µs 压摆率,同时仅消耗 1.8mA(典型值)的静态电流。此器件由 4.5V 至 18V 单电源或 ±2.25V 至 ±9V 双电源供电。
运算放大器采用 14 引脚塑料 TSSOP 封装,可抵御高达 43MeV•cm2/mg (SET) 的辐射,并且在高达 30krad(Si) 的条件下无 ELDRS
技术文档
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | OPA4H014-SEP 采用增强型航天塑料的 11MHz、精密、低噪声、RRO、JFET 运算放大器 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2022-7-22 |
| * | 辐射与可靠性报告 | OPA4H014-SEP Single Event Latchup Report | PDF | HTML | 2024-5-20 | ||
| * | 辐射与可靠性报告 | OPA4H014-SEP Total Ionizing Dose Report | PDF | HTML | 2023-11-8 | ||
| * | 辐射与可靠性报告 | OPA4H014-SEP Production Flow and Reliability Report | PDF | HTML | 2023-11-8 | ||
| * | 辐射与可靠性报告 | OPA4H014-SEP Neutron Displacement Damage Characterization Report | PDF | HTML | 2023-11-8 | ||
| * | VID | OPA4H014-SEP VID V62/21607 | 2024-2-27 | |||
| 应用简报 | TI 航天级精度 ADC 赋能激光通信终端 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026-7-10 | ||
| 应用手册 | 航天 ADC 电路指导手册 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026-5-14 | ||
| 电路设计 | 具有第二级 ADC 缓冲器的抗辐射、30krad、比较电流检测放 大器 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2024-9-27 | |
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| 应用简报 | 采用德州仪器 (TI) 工具包进行模拟前端设计 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023-2-22 |
设计与开发
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DIP-Adapter-EVM 套件支持六种常用的业界通用封装,包括:
- D 和 U (SOIC-8)
- PW (TSSOP-8)
- DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
- DBV(SOT23-6、SOT23-5 和 SOT23-3)
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