LMV344

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四路、5.5V、1MHz、高输出电流 (75mA) 运算放大器

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功能优于比较器件，可直接替换。

TLV9004

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适用于成本优化型应用的四通道、5.5V、1MHz、RRIO 运算放大器 Better accuracy (1.6mV Vos max), lower power (0.06mA Iq), rail-to-rail inputs and outputs, smaller packages

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产品详情

Number of channels

4

Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V)

5.5

Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V)

2.5

Rail-to-rail

In to V-, Out

GBW (typ) (MHz)

1

Slew rate (typ) (V/µs)

1

Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV)

5

Iq per channel (typ) (mA)

0.107

Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz)

39

Rating

Catalog

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

Offset drift (typ) (µV/°C)

1.9

Input bias current (max) (pA)

200

CMRR (typ) (dB)

86

Iout (typ) (A)

0.075

Architecture

CMOS

Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V)

0

Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V)

-0.8

Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V)

0.007

Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V)

-0.007

Number of channels

4

Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V)

5.5

Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V)

2.5

Rail-to-rail

In to V-, Out

GBW (typ) (MHz)

1

Slew rate (typ) (V/µs)

1

Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV)

5

Iq per channel (typ) (mA)

0.107

Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz)

39

Rating

Catalog

Operating temperature range (°C)

-40 to 125

Offset drift (typ) (µV/°C)

1.9

Input bias current (max) (pA)

200

CMRR (typ) (dB)

86

Iout (typ) (A)

0.075

Architecture

CMOS

Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V)

0

Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V)

-0.8

Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V)

0.007

Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V)

-0.007

TSSOP (PW)

14

32 mm² (5 mm × 6.4 mm)

SOIC (D)

14

51.9 mm² (8.65 mm × 6 mm)

2.7V 和 5V 性能
轨到轨输出摆幅
输入偏置电流：1pA（典型值）
输入失调电压：0.25mV（典型值）
低电源电流：100µA（典型值）
低关断电流：45pA（典型值）
1MHz 的增益带宽（典型值）
压摆率：1V/µs（典型值）
关断后的开通时间：5µs（典型值）
输入参考电压噪声（10kHz 时）：20nV/√Hz
ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求：
- 2000V 人体放电模式 (HBM)
- 750V 充电设备模型 (CDM)

2.7V 和 5V 性能
轨到轨输出摆幅
输入偏置电流：1pA（典型值）
输入失调电压：0.25mV（典型值）
低电源电流：100µA（典型值）
低关断电流：45pA（典型值）
1MHz 的增益带宽（典型值）
压摆率：1V/µs（典型值）
关断后的开通时间：5µs（典型值）
输入参考电压噪声（10kHz 时）：20nV/√Hz
ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求：
- 2000V 人体放电模式 (HBM)
- 750V 充电设备模型 (CDM)

LMV34x 器件分别是单通道、双通道和四通道 CMOS 运算放大器，具有低电压、低功耗和轨到轨输出摆幅功能。PMOS 输入级提供 1pA（典型值）的超低输入偏置电流和 0.25mV（典型值）的失调电压。单电源放大器专为低电压（2.7V 至 5V）工作而设计，具有宽共模输入电压范围，通常从正电源轨向下延伸至–0.2V，向上延伸至正电源轨的 0.8V 处。LMV341（单通道）还提供了一个关断 (SHDN) 引脚，该引脚可用于禁用器件。在关断模式下，电源电流可降至 33nA（典型值）。该系列的其他特性包括：10kHz 时电压噪声为 20nV/√ Hz，单位增益带宽 1MHz，压摆率 1V/µs，每通道电流消耗 100µA。

LMV341 采用 SOT-23 封装和更小的 SC70 封装，适用于空间受限型应用。LMV342 双通道版本器件采用标准 SOIC 和 VSSOP 封装。器件支持 –40°C 至 125°C 的扩展工业级温度范围，因此能适应各类商业及工业环境。

LMV34x 器件分别是单通道、双通道和四通道 CMOS 运算放大器，具有低电压、低功耗和轨到轨输出摆幅功能。PMOS 输入级提供 1pA（典型值）的超低输入偏置电流和 0.25mV（典型值）的失调电压。单电源放大器专为低电压（2.7V 至 5V）工作而设计，具有宽共模输入电压范围，通常从正电源轨向下延伸至–0.2V，向上延伸至正电源轨的 0.8V 处。LMV341（单通道）还提供了一个关断 (SHDN) 引脚，该引脚可用于禁用器件。在关断模式下，电源电流可降至 33nA（典型值）。该系列的其他特性包括：10kHz 时电压噪声为 20nV/√ Hz，单位增益带宽 1MHz，压摆率 1V/µs，每通道电流消耗 100µA。

LMV341 采用 SOT-23 封装和更小的 SC70 封装，适用于空间受限型应用。LMV342 双通道版本器件采用标准 SOIC 和 VSSOP 封装。器件支持 –40°C 至 125°C 的扩展工业级温度范围，因此能适应各类商业及工业环境。

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	电子书	The Signal e-book: 有关运算放大器设计主题的博客文章汇编	PDF \| HTML	英语版	PDF \| HTML	2018-1-31