LM2101
- 可驱动两个采用半桥配置的 N 沟道 MOSFET
- 8-V GVDD 上的典型欠压锁定
- BST 上的最大绝对电压为 107V
- SH 上的 –19.5V 绝对最大负瞬态电压处理
- 0.5A/0.8A 峰值拉电流/灌电流
- 115ns 典型传播延迟
LM2101 是一款紧凑型高压栅极驱动器,专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。
SH 引脚具有–1V 直流和 –19.5V 瞬态负电压处理能力,可提升高噪声应用中的系统稳健性。 该器件采用小型热增强型 8 引脚 WSON 封装,可将驱动器放置在更靠近电机相位的位置,从而改善 PCB 布局。 LM2101 还采用与业界通用引脚排列兼容的 8 引脚 SOIC 封装。在低侧和高侧电源轨上均提供欠压锁定 (UVLO) 功能,以在上电和断电期间提供保护。
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设计与开发
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计算工具
LM2X0X-CALC — LM2x0x 原理图审阅模板
LM2x0x Schematic Review Template (zip)
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WSON (DSG) | 8 | Ultra Librarian |
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
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