ISO6520
- 双通道 CMOS 输出功能隔离器
- 50Mbps 数据速率
- 稳健可靠的 SiO2 隔离栅（CMTI 典型值为 ±150kV/µs）
- 功能隔离(8-EEU)：
- 450VRMS、637VDC 工作电压
- 2000VRMS、2828VDC 瞬态电压 (60s)
- 功能隔离(8-D)：
- 450VRMS、637VDC 工作电压
- 2000VRMS、2828VDC 瞬态电压 (60s)
- 采用爬电距离大于 2.2mm 的紧凑型 8-REU 封装
- 宽电源电压范围：1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
- 1.71V 至 5.5V 电平转换
- 默认输出高电平 (ISO652x) 和低电平 (ISO652xF) 选项
- 宽温度范围：-40°C 至 125°C
- 3.3V、1Mbps 时每通道电流典型值为 1.8mA
- 低传播延迟：3.3V 时为 11ns（典型值）
- 优异的电磁兼容性 (EMC)
- 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰度
- 超低辐射
- 无引线 DFN (8-REU) 封装和窄体 SOIC (8-D) 封装选项
ISO652x 器件是高性能双通道功能隔离器，适用于需要与非安全应用隔离的成本敏感、空间受限型应用。该隔离栅支持 450VRMS/637VDC 的工作电压，以及 2000VRMS/2828VDC 的瞬态过压。
在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的同时， 器件可提供高电磁抗扰度、低发射和低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。 ISO6520 具有 2 个同向隔离通道。 ISO6521 具有 2 个隔离通道，每个方向各一个通道。如果输入功率或信号出现损失，不带后缀 F 的器件默认输出高电平，带后缀 F 的器件默认输出低电平。更多详细信息，请参见器件功能模式部分。
这些器件有助于防止 UART、SPI、RS-485、RS-232 和 CAN 等数据总线上的噪声电流损坏敏感电路。得益于芯片设计和布局布线技术， 器件的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级 ESD 问题并符合辐射标准。
技术文档
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | ISO652x 通用双通道功能隔离器 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2025-10-15 |
| 白皮书 | 通过系统设计中的功能隔离减小解决方案尺寸并降低 BOM 成 本 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2024-8-23 |
设计与开发
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评估板
ISO6521REUEVM — ISO6521 适用于数字信号的双通道功能隔离器评估模块
ISO6521REUEVM 是一款用于评估采用 8 引脚 DFN 封装的双通道 ISO6521 功能隔离器的评估模块 (EVM)。此 EVM 具有其他封装，可让用户灵活地添加元件来测试各种常见应用。此 EVM 还具有多个测试点，支持使用较少的外部元件来评估相应器件。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSON (REU) | 8 | Ultra Librarian |
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。