CSD87503Q3E
- 双 N 沟道共源极 MOSFET
- 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
- 低热阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源极、双路 N 沟道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3 × 3.3mm SON 器件具有低漏极至漏极导通电阻，可最大限度地较少损耗，且具有较少的组件数量，适用于空间受限的 应用。
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设计与开发
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支持软件
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
计算工具
SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter
快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VSON (DTD) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
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