CSD87353Q5D

正在供货

采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

产品详情

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 40 Power loss (W) 3.3 Ploss current (A) 25 Features Motor control, Power supply Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 40 Power loss (W) 3.3 Ploss current (A) 25 Features Motor control, Power supply Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
LSON-CLIP (DQY) 8 30 mm² (5 mm × 6 mm)
  • 输入电压高达 27V
  • 半桥电源块
  • 25A 电流时系统效率为 95%
  • 工作电流高达 40A
  • 高频工作(高达 1.5MHz)
  • 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层
  • 输入电压高达 27V
  • 半桥电源块
  • 25A 电流时系统效率为 95%
  • 工作电流高达 40A
  • 高频工作(高达 1.5MHz)
  • 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 开关损耗较低
  • 超低电感封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 无铅引脚镀层

CSD87353Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,可提供一套灵活的解决方案,在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,均可提供高密度电源。

CSD87353Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案,能够以 5mm × 6mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化,可提供一套灵活的解决方案,在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时,均可提供高密度电源。

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设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

仿真模型

CSD87353Q5D Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM027B.ZIP (5 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
计算工具

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支持的产品和硬件
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PMP20516 — 5V 45A 双相同步降压参考设计

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支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-00448 — 采用增强型数字隔离器的灵活型高电流 IGBT 栅极驱动器参考设计

TIDA-00448 参考设计是一款具有双极栅极电压的隔离式 IGBT 栅极驱动器,用于驱动需要高达 40A 高峰值栅极电流的高功率 IGBT。TI 可在此范围内扩展的 NexFET 电源块采用同一封装,使单一设计可用于具有不同额定功率的多个驱动平台。该设计采用一个数字隔离器实现增强型隔离,其瞬态浪涌额定值为 8kV 且 CMTI 为 50kV。此设计使用快速瞬态响应比较器,集成了 DESAT 保护。DESAT 检测阈值和软关断时间均可配置。该设计可连接来自 3.3V 和 5V MCU 的 PWM,以及故障、复位和 UVLO 反馈。

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
LSON-CLIP (DQY) 8 Ultra Librarian

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

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