CSD87312Q3E

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采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、38mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 38 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 6.3 QGD (typ) (nC) 0.7 QGS (typ) (nC) 1.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 27 ID - package limited (A) 27 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 38 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 6.3 QGD (typ) (nC) 0.7 QGS (typ) (nC) 1.9 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 27 ID - package limited (A) 27 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON (DPA) 8 10.89 mm² (3.3 mm × 3.3 mm)
  • 共源连接
  • 超低漏极到漏极导通电阻
  • 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm x 3.3mm 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 共源连接
  • 超低漏极到漏极导通电阻
  • 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm x 3.3mm 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素

CSD87312Q3E 是一款设计用于适配器 / USB 输入保护的 30V 共源、双路 N 通道器件。 此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻,这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。

R=63°C/W,这是在厚度为 0.060" 的环氧板印刷电路板 (FR4PCB) 上 1 in²(2 盎司)铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2% 。

CSD87312Q3E 是一款设计用于适配器 / USB 输入保护的 30V 共源、双路 N 通道器件。 此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻,这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。

R=63°C/W,这是在厚度为 0.060" 的环氧板印刷电路板 (FR4PCB) 上 1 in²(2 盎司)铜过渡垫片上测得的典型值脉冲持续时间 ≤ 300μs,占空比 ≤ 2% 。

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设计与开发

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支持软件

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支持的产品和硬件
仿真模型

CSD87312Q3E Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM061B.ZIP (4 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSON (DPA) 8 Ultra Librarian

订购和质量

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支持和培训

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