主页 电源管理 MOSFET
主页
电源管理
MOSFET

CSD25404Q3

正在供货

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

立即订购
数据表

CSD25404Q3

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 6.5 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 12.1 VGSTH typ (typ) (V) -0.9 QG (typ) (nC) 10.8 QGD (typ) (nC) 2.2 QGS (typ) (nC) 2.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) -104 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 6.5 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 12.1 VGSTH typ (typ) (V) -0.9 QG (typ) (nC) 10.8 QGD (typ) (nC) 2.2 QGS (typ) (nC) 2.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) -104 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DQG) 8 10.89 mm² (3.3 mm × 3.3 mm)
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 低 RDS(on)
  • 无卤素
  • 符合 RoHS 标准
  • 无铅引脚镀层
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

应用

  • 直流-直流转换器
  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 低 RDS(on)
  • 无卤素
  • 符合 RoHS 标准
  • 无铅引脚镀层
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

应用

  • 直流-直流转换器
  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

All trademarks are the property of their respective owners.

这款 -20V、5.5mΩ NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装，可提供出色的封装散热性能。

这款 -20V、5.5mΩ NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装，可提供出色的封装散热性能。
filter 查找其他 MOSFET
下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 9
顶层文档 类型 标题 格式选项 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD25404Q3 -20V P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2015-12-21
应用手册 MOSFET 支持和培训工具 (Rev. G) PDF | HTML 英语版 (Rev.G) PDF | HTML 2025-11-18
应用简报 估算功率 MOSFET 的漏电流 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025-11-7
应用手册 半导体和 IC 封装热指标 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2024-4-24
应用手册 QFN 和 SON PCB 连接 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2024-1-5
应用手册 在设计中使用 MOSFET 瞬态热阻抗曲线 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023-12-19
应用简报 成功并联功率 MOSFET 的技巧 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023-12-6
应用手册 在设计中使用 MOSFET 安全工作区曲线 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023-3-15
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 英语版 2015-5-12

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
支持的产品和硬件
仿真模型

CSD25404Q3 TINA-TI Spice Model

SLPM237.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

CSD25404Q3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM162A.ZIP (3 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
参考设计

PMP40069 — 带 5-20Vin 3 节电池充电器的便携式 DLP 微型投影仪参考设计

PMP40069 是便携式 DLP 微型投影仪的参考设计。同时配备 3 节电池充电器。  电池可在无适配器场景下为投影仪持续供电。此解决方案采用了 DLPA3000 PMIC/LED 驱动器、DLPC3438 显示控制器和 SMBus 电池降压/升压充电控制器 BQ25700A。DLPA3000 PMIC 是完全集成的专用 PMIC/LED 驱动器，提供所有系统模拟电源需求，并可驱动 0~6 安培 RGB LED。降压/升压充电器与 5/9/12/15/20V 输出适配器兼容。充电器具备高效性能，可为 3 节电池提供 3A 充电电流。
支持的产品和硬件
参考设计

PMP40294 — 双向电池电源系统 +USB A 5V2A 输出参考设计

PMP40294 参考设计适用于需要更多充电和放电功率的高容量电池组。它可支持任何适配器的宽输入电压 (5~20V)，并为 3 节串联电池包提供高达 3A 的最大充电电流。通过采用双向降压/升压控制器 BQ25703A，其功率流可在同一功率级内双向流动。在反向模式下，可将来自电池的 5/9/12/14.5/15/16/19/20V 3A 输送至端口。数字编程功能也进一步扩展了功能。  
支持的产品和硬件
参考设计

PMP40441 — 适用于 USB PD PPS 的多节电池降压/升压电池充电器系统参考设计

此参考设计适用于 USB 电力输送 (PD) 电池充电应用，例如移动电源或其他便携式设备。它采用降压/升压充电器 BQ25713，为 USB PD 充电提供广泛的输入和输出范围。USB PD 控制器卡 (PMP40442) 可以将充电器配置为通过同一个电源路径进行充电或 OTG。PMP40441/2 与 PD2.0 兼容。该设计还展示出 BQ25713 能够满足 PD 的可编程电源 (PPS) 标准。在 OTG 方向（即将移动电源用作电源），USB 端口可输出 5/9/15/20V 的固定 USB PD 电压以及 3.3V 至 5.9/11/21V 的 USB PD PPS 电压，阶跃小于 (...)
支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-01379 — 瞬态负载发生器参考设计

TIDA-01379 参考设计可产生评估转换器稳定性所需的快速负载瞬态信号。此板包含三个经过稳压或未经稳压的可分离负载瞬态发生器，这些发生器能够支持不同的负载配置。负载可以接地为基准，也可以处于悬浮状态。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSON-CLIP (DQG) 8 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

查看全部论坛主题 查看英文版全部论坛主题

所有内容均由 TI 和社区贡献者按“原样”提供，并不构成 TI 规范。请参阅使用条款。

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问，请参阅 TI 支持。​​​​​​​​​​​​​​

视频