CSD19536KTT

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采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2.4 VGSTH typ (typ) (V) 2.5 QG (typ) (nC) 118 QGD (typ) (nC) 17 QGS (typ) (nC) 37 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 272 ID - package limited (A) 200 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
VDS (V) 100 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 2.4 VGSTH typ (typ) (V) 2.5 QG (typ) (nC) 118 QGD (typ) (nC) 17 QGS (typ) (nC) 37 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 272 ID - package limited (A) 200 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 175
TO-263 (KTT) 2 153.416 mm² (10.16 mm × 15.1 mm)
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 具有雪崩能力
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 具有雪崩能力
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装

这款 100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

这款 100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。

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TO-263 (KTT) 2 Ultra Librarian

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