AMC0311D
- 线性输入电压范围：-0.1V 至 2V
- 高输入阻抗：2.4GΩ（典型值）
- 电源电压范围：
- 高侧 (VDD1)：3.0V 至 5.5V
- 低侧 (VDD2)：3.0V 至 5.5V
- 固定增益：1V/V
- 差分输出
- 低直流误差：
- 失调电压误差：±0.8mV（最大值）
- 温漂：±10µV/°C（最大值）
- 增益误差：±0.25%（最大值）
- 增益漂移：±50ppm/°C（最大值）
- 非线性度：±0.035%（最大值）
- 高 CMTI：150V/ns（最小值）
- 低 EMI：符合 CISPR-11 和 CISPR-25 标准
- 隔离等级：
- AMC0211D：基础型隔离
- AMC0311D：增强型隔离
- 安全相关认证：
- DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
- UL1577
- 可在工业温度范围内正常工作：-40°C 至 +125°C
AMC0x11D 是一款精密的电隔离放大器，具有 2V 高阻抗输入、固定增益和差分输出。高阻抗输入针对与高阻抗电阻分压器或具有高输出电阻的其他电压信号源的连接进行了优化。
隔离栅将在不同共模电压电平下运行的系统器件隔开。该隔离栅抗电磁干扰性能极强。该隔离栅经过认证，可提供高达 5kVRMS 的增强型隔离（DWV 封装）和高达 3kVRMS 的基础型隔离（D 封装）(60s)。
AMC0x11D 输出与输入电压成正比的差分信号。差分输出对接地漂移不敏感，这使得可以将输出信号进行远距离传输。
AMC0x11D 器件采用 8 引脚、宽体和窄体 SOIC 封装，额定温度范围为 –40°C 至 +125°C。
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| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | AMC0x11D 具有固定增益和差分输出的 2V 输入、 基础型隔离和增强型隔离精密放大器 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2025-11-18 |
| 证书 | E181974-Vol4-Sec6-20260312_CoC | 2026-7-20 | ||||
| 证书 | VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AB) | 2026-7-15 | ||||
| 应用手册 | 将隔离式放大器与 SAR AD 转换器配对 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026-7-14 | ||
| 电子书 | 隔离式信号链解决方案工程师指南 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2025-1-23 |
设计与开发
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评估板
AMC43XXDVVEVM — AMC43xx 评估模块（DVV 封装）
AMC43xxDVVEVM 与一款 AMC43xxDVV 系列器件之一，展示了一种集成了直流/直流转换器的隔离式高精度高压传感设计。该评估模块能够支持任何具有灵活输出滤波设计的 AMC43xxDVV 器件。该 EVM 包含端子块和测试点，可轻松应用输入信号和测量输出信号。
评估板
DIYAMC-0-EVM — 通用 DIY 隔离式放大器和调制器评估模块
DIYAMC-0-EVM 是一款分接评估模块 (EVM)，具有二十种配置并采用 5x4 网格布局。对于隔离式放大器，三个输出选项包括差分输出、具有固定增益的单端输出和具有比例增益的单端输出。对于隔离式调制器，两个时钟选项包括内部时钟和外部时钟。每种配置都提供四种封装类型：DEN、D、DWV 和 DUB。该板使用户能够测试一个 EVM 中的各种器件。
计算工具
SBAR013 — Isolated Amplifier Voltage Sensing Excel Calculator
This calculator provides estimates of the errors associated with using isolation amplifier devices in a voltage sensing configuration.
计算工具
SBAR020 — Isolated Amplifier Current Sensing Excel Calculator
This calculator provides estimates of the errors associated with using isolation amplifier devices in a current sensing configuration.
参考设计
TIDA-010957 — 基于 GaN 的 15kW 至 30kW 双向三相加中性飞跨电容器参考设计
此参考设计提供了用于实现基于氮化镓 (GaN) 的三级三相加中性飞跨电容器功率级的设计模板。使用快速开关型功率器件可实现 125kHz 的等效开关频率，不仅减小了滤波器磁性元件的尺寸，还提高了功率级的功率密度。多级拓扑允许在高达 900V 的更高直流总线电压下使用额定电压为 650V 的功率器件。晶体管上较低的开关电压应力可降低开关损耗，从而在全功率条件下实现 98.9% 的效率。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DWV) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
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