전력 관리 MOSFET

CSD16570Q5B

활성

25V, N 채널 NexFET ™ 전원 MOSFET, 싱글 SON 5mm x 6mm, 0.82mOhm

제품 상세 정보

VDS (V) 25 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 0.59 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 0.82 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 95 QGD (typ) (nC) 31 QGS (typ) (nC) 29 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 456 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 25 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 0.59 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 0.82 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 95 QGD (typ) (nC) 31 QGS (typ) (nC) 29 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 456 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DNK) 8 30 mm² 6 x 5
  • Extremely Low Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • Extremely Low Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not designed for switching applications.

This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not designed for switching applications.

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기술 자료

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* Data sheet CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2017/05/19
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025/10/31
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2025/10/27
Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024/03/25
Application note Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023/12/18
Application note QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 2023/12/06
Application note Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023/03/13
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022/05/31
Application note Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011/11/16

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

지원 소프트웨어

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

지원 소프트웨어

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

시뮬레이션 모델

CSD16570Q5B TINA-TI Spice Model

SLPM200.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
시뮬레이션 모델

CSD16570Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM132B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
계산 툴

FET-SOA-CALC-SELECT MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

계산 툴

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

레퍼런스 디자인

PMP23126 — 전력 밀도가 270W/in3을 초과하는 액티브 클램프 레퍼런스 설계를 기반으로 한 3kW 위상 변이 풀 브리지

이 레퍼런스 설계는 최대 전력 밀도를 목표로 하는 GaN 기반 3kW PSFB(위상 이동 풀 브리지)입니다. 이 설계에는 보조 동기식 정류기 MOSFET에 대한 전압 응력을 최소화하기 위해 액티브 클램프가 있으며 그에 따라 더 우수한 FOM(figure-of-merit)과 더 낮은 전압 정격 MOSFET을 활용할 수 있습니다. PMP23126은 기본 측에서 TI의 30mΩ GaN을 사용하고 보조 측에서 실리콘 MOSFET를 사용합니다. LMG3522 상단 측 냉각d GaN과 일체형 드라이버 및 보호 기능이 Si MOSFET와 (...)
Test report: PDF
레퍼런스 디자인

PMP41081 — C2000™ 실시간 마이크로컨트롤러를 사용하는 1kW, 12V HHC LLC 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 F280039C 마이크로컨트롤러를 이용해 하이브리드 히스테리시스 제어(HHC)의 부하 과도 성능을 평가하는 데 사용되는 1kW, 400V~12V 하프 브리지 공진 DC/DC 플랫폼입니다. HHC는 DFC(직접 주파수 제어) 및 전하 제어를 결합하는 방법이며, 추가된 주파수 보상 램프로 전하 제어를 제어합니다. 추가 내부 루프를 통해 HHC는 인덕터-인덕터 커패시터(LLC) 단계의 부하 과도 응답 성능을 개선할 수 있습니다.
Test report: PDF
레퍼런스 디자인

PMP40586 — 1kW 디지털 제어 전류 모드 LLC 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 12V~54V 출력을 지원하는 서버 PSU 애플리케이션을 대상으로 하는 업계 최초의 디지털 하이브리드 히스테리시스 제어(HHC) 솔루션입니다. 이 레퍼런스 설계는 400V~12V 1kW LLC 전력단에서 UCD3138의 HHC 제어 이점을 보여줍니다. 이 설계는 8kHz 피크 루프 대역폭을 달성합니다. 2.5A/us의 0% 및 100% 부하 변환에서 500mV 미만의 피크-피크 편차를 유지하고, 2.5A/us의 0% 및 150% 부하 변환에서 800mV 미만의 피크-피크 편차를 유지합니다.
Test report: PDF
레퍼런스 디자인

TIDA-010087 — 100A 듀얼 위상 디지털 제어 배터리 테스터 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 C2000™ MCU(마이크로컨트롤러) 및 정밀 ADC ADS131M08을 사용하여 양방향 인터리브 벅 컨버터 전력계의 전류 및 전압을 정확하게 제어하는 방법을 보여줍니다. 이 설계는 C2000 MCU의 고해상도 펄스 폭 변조(PWM) 생성 주변 장치를 활용하여 ±20mA 전류 조정 오차 및 ±1mV 전압 조정 오차를 달성합니다.
Design guide: PDF
레퍼런스 디자인

PMP40182 — 양방향 배터리 초기화 시스템 전원 보드 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 차량용 및 배터리 애플리케이션에 적합한 배터리 초기화 레퍼런스 설계 솔루션입니다. 이 모듈은 배터리 충전과 방전을 위해 고효율 단상 변환을 지원합니다. 이 설계는 고성능 INA225 전류 감지 증폭기를 사용해 0.1%의 정확한 전류 제어 루프를 제공합니다. 이 설계는 소형 폼 팩터(40mm x 143mm x 20mm)로 구현되었습니다. 
Test report: PDF
회로도: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
VSON-CLIP (DNK) 8 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

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