지원 소프트웨어
NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator
MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
CSD85301Q2
- Low on-resistance
- Dual independent MOSFETs
- Space saving SON 2mm × 2mm plastic package
- Optimized for 5V gate driver
- Avalanche rated
- Pb and halogen free
- RoHS compliant
The CSD85301Q2 is a 20V, 23mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2mm x 2mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, this part can be used for adaptor, USB input protection and battery charging applications. The dual FETs feature low drain to source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.
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기술 자료
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9개 모두 보기 | 상위 문서 | 유형 | 직함 | 형식 옵션 | 날짜 |
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | CSD85301Q2 20V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2024/05/21 |
| Application brief | Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs | PDF | HTML | 2025/10/31 | |
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| Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022/05/31 | |
| Application note | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 2011/11/16 |
설계 및 개발
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계산 툴
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SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Boost Converter
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Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| WSON (DLV) | 6 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.