전력 관리 MOSFET

CSD25404Q3

활성

-20V, P 채널 NexFET ™ 전원 MOSFET, 싱글 SON 3mm x 3mm, 6.5mOhm

제품 상세 정보

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 6.5 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 12.1 VGSTH typ (typ) (V) -0.9 QG (typ) (nC) 10.8 QGD (typ) (nC) 2.2 QGS (typ) (nC) 2.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) -104 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 6.5 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 12.1 VGSTH typ (typ) (V) -0.9 QG (typ) (nC) 10.8 QGD (typ) (nC) 2.2 QGS (typ) (nC) 2.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) -104 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DQG) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Low RDS(on)
  • Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • Pb Free Terminal Plating
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Low RDS(on)
  • Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • Pb Free Terminal Plating
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package

This -20 V, 5.5 mΩ NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion load management applications with a SON 3.3 mm × 3.3 mm package that offers an excellent thermal performance for the size of the device.

This -20 V, 5.5 mΩ NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion load management applications with a SON 3.3 mm × 3.3 mm package that offers an excellent thermal performance for the size of the device.

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기술 자료

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Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025/10/31
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Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022/05/31
Application note Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011/11/16

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

지원 소프트웨어

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

시뮬레이션 모델

CSD25404Q3 TINA-TI Spice Model

SLPM237.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
시뮬레이션 모델

CSD25404Q3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM162A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
레퍼런스 디자인

PMP40441 — USB PD PPS용 멀티 셀 벅-부스트 배터리 충전기 시스템 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 파워 뱅크 또는 기타 휴대형 디바이스와 같은 USB PD(Power Delivery) 배터리 충전 애플리케이션을 위한 것입니다. 이 설계에서는 USB PD 충전에 넓은 입력 및 출력 범위를 제공하기 위해 벅-부스트 충전기 BQ25713을 사용합니다. USB PD 컨트롤러 카드(PMP40442)는 동일한 전원 경로를 통해 충전 또는 OTG를 모두 실행하도록 충전기를 구성할 수 있습니다. PMP40441/2는 PD2.0과 호환됩니다. 또한 PD의 PPS(프로그래머블 전원 공급 장치) 표준을 지원하는 (...)
Test report: PDF
회로도: PDF
레퍼런스 디자인

PMP40294 — 양방향 배터리 전원 시스템 + USB A 5V2A 출력 레퍼런스 디자인

PMP40294 레퍼런스 설계는 점점 더 많은 충전 및 방전 전력을 필요로 하는 고용량 배터리 팩을 위해 설계되었습니다. 모든 어댑터에서 넓은 입력 전압(5~20V)을 지원하고 3S 배터리 팩에 최대 3A의 최대 충전 전류를 공급할 수 있습니다. 양방향 벅-부스트 컨트롤러 BQ25703A를 채택하면 전력 스트림이 동일한 전력계에서 양방향으로 흐를 수 있습니다. 역방향 모드에서는 배터리에서 포트로 5/9/12/14.5/15/16/19/20V 3A를 공급할 수 있습니다. 디지털 프로그래밍 기능은 더욱 확장된 기능도 제공합니다.  
Test report: PDF
회로도: PDF
레퍼런스 디자인

TIDA-01379 — 과도 부하 제너레이터 레퍼런스 설계

TIDA-01379 레퍼런스 설계를 사용하면 컨버터 안정성을 평가할 때 필요한 빠른 부하 과도 신호를 생성할 수 있습니다. 이 보드에는 3가지 분리형 부하 과도 제너레이터가 포함되어 있으며, 제너레이터는 조절식이거나 비조절식이고 다양한 부하 구성을 지원할 수 있습니다. 부하를 접지나 부동으로 참조할 수 있습니다.
Design guide: PDF
회로도: PDF
레퍼런스 디자인

PMP40069 — 5~20Vin 3셀 배터리 충전기가 장착된 휴대용 DLP Pico 프로젝터 레퍼런스 디자인

PMP40069는 휴대용 DLP Pico 프로젝터를 위한 레퍼런스 설계이며 3셀 배터리 충전기도 있습니다.  어댑터를 사용할 수 없는 경우 배터리로 프로젝터에 전원을 공급합니다. 이 솔루션은 DLPA3000 PMIC/LED 드라이버, DLPC3438 디스플레이 컨트롤러, SMBus 배터리 벅-부스트 충전 컨트롤러 BQ25700A를 구현합니다. DLPA3000 PMIC는 완전 통합형 전용 PMIC/LED 드라이버로, 모든 시스템 아날로그 전원 요구 사항을 충족하며 0~6A RGB LED를 구동할 수 있습니다. 벅-부스트 충전기는 (...)
Test report: PDF
회로도: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
VSON-CLIP (DQG) 8 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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지원 및 교육

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