封装信息
| 封装 | 引脚 SOT-23 (DBV) | 5 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R |
UCC27519A-Q1 的特性
- 符合汽车应用要求
- 具有符合 AEC-Q100 的下列结果：
- 符合器件汽车 1 级
- 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 H2
- 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C6
- 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品
- 与 TI 的 TPS2828 和 TPS2928 引脚兼容
- 4A 峰值拉电流和 4A 峰值灌电流对称驱动
- 快速传播延迟（典型值 17ns）
- 快速上升和下降时间（典型值 8ns 和 7ns）
- 4.5V 至 18V 单一电源范围
- 在 VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间，输出保持低电平（以保证加电和断电时的无毛刺脉冲运行）
- CMOS 输入逻辑阀值（带有滞后功能的电源电压）
- 用于高抗噪性的滞后逻辑阀值
- 针对使能功能的使能 (EN) 引脚（可不连接）
- 当输入引脚悬空时输出保持在低电平
- 输入引脚绝对最大电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
- -40°C 至 140°C 的运行温度范围
- 5 引脚 DBV 封装（小外形尺寸晶体管封装 (SOT)-23）
应用范围
- 车载应用
- 开关模式电源
- 直流到直流转换器
- 用于数字电源控制器的伴随栅极驱动器器件
- 太阳能、电机控制、不间断电源 (UPS)
- 用于新上市的宽带隙电源器件（例如 GaN）的栅极驱动器
UCC27519A-Q1 的说明
UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 单通道高速低侧栅极驱动器器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 开关。 借助于固有的大大减少击穿电流的设计，UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 能够灌、拉高峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为 17ns）。
UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 在 VDD = 12V 时提供 4A 拉电流和 4A 灌电流（对称驱动）峰值驱动电流功能。
UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 在 4.5V 至 18V 的宽 VDD 范围以及 -40°C 到 140°C 的宽温度范围内运行。 VDD 引脚上的内部欠压闭锁 (UVLO) 电路保持 VDD 运行范围之外的输出低电平。 能够运行在诸如低于 5V 的低电压电平上，连同同类产品中最佳的开关特性，使得此器件非常适合于驱动诸如 GaN 功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27519A-Q1 可按需提供（只用于预览）。
UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 的输入引脚阀值基于 CMOS 逻辑电路，此逻辑电路的阀值电压是 VDD 电源电压的函数。 通常情况下，输入高阀值 (VIN-H) 是 VDD 的 55%，而输入低阀值 (VIN-L) 是 VDD 的 39%。 高阀值和低阀值之间的宽滞后（通常为 VDD 的 16%）提供了出色的抗扰性并使用户能够通过在输入脉宽调制 (PWM) 信号和器件的 INx 引脚间使用 RC 电路来引入延迟。
UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 在 EN 引脚上还特有一个可悬空使能功能。 EN 引脚可以保持在一个不连接的状态，这样可以分别实现 UCC27518A-Q1，UCC27519A-Q1 和 TPS2828，TPS2829 器件间的引脚兼容性。 使能引脚阀值是一个固定电压阀值并且不会随着 VDD偏置电压的改变而变化。 通常情况下，使能高阀值 (VEN-H) 为 2.1V，而使能低阀值 (VEN-L) 是 1.25V。