封装信息
| 封装 | 引脚 CFP (HSL) (HKT) | 16 |
| 工作温度范围 (°C) 25 to 25 |
| 包装数量 | 包装 25 | TUBE |
UC1825B-SP 的特性
- 符合 QML-V 标准，SMD 5962-8768106
- 5962 R8768106VYC：
- 耐辐射加固保障 (RHA) 能力高达 100krad(Si) 总电离剂量 (TID) (1)
- 与电压或电流模式拓扑兼容
- 实际工作开关频率高达 1MHz
- 50ns 传播延迟到输出
- 大电流双图腾柱输出（2A 峰值）
- 宽带宽误差放大器
- 带有双脉冲抑制功能的全锁存逻辑
- 逐脉冲电流限制
- 软启动/最大占空比控制
- 带有迟滞功能的欠压锁定
- 低启动电流 (1.1mA)
(1)辐射耐受性是基于初始器件认证（剂量率 = 10mrad(Si)/s）获得的典型值。提供辐射批次验收测试 - 详细信息请联系厂家。
UC1825B-SP 的说明
UC1825B-SP PWM 控制器件针对高频开关模式电源应用进行了优化。对在大大增加误差放大器的带宽和转换率的同时，大大减小通过比较器和逻辑电路的传播延迟给与了特别关注。这个控制器设计用于电流模式或电压模式系统，此系统具有输出电压前馈功能。
保护电路包括一个阈值电压为 1V 的电流限制比较器、一个 TTL 兼容关断端口和一个软启动引脚，此引脚可对折为一个最大占空比钳位。此逻辑被完全锁存以提供无抖动运行，并且抑制了输出上的多脉冲。一个具有 800mV 滞后的欠压闭锁部分可确保低启动电流。欠压闭锁期间，输出为高阻抗。
这个器件特有推挽式输出，此输出被设计用来拉、灌来自电容负载（诸如一个功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的栅极）的高峰值电流。导通状态设计为高电平。