TPS7A80

正在供货

具有低 IQ 和使能功能的 1A、高 PSRR、超低压降稳压器

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TPS7A88 正在供货 1A、低噪声、高 PSRR、双通道可调节超低压降稳压器 Dual-channel, low-noise, 1-A LDO regulator.
TLV759P 正在供货 具有使能功能的 1A、低 IQ、高精度、可调节超低压降稳压器 1-A single-channel adjustable-output LDO regulator with lower IQ for cost-sensitive applications.
TPS7A91 正在供货 1A、低噪声、高 PSRR、高精度、可调节超低压降稳压器 Next-generation product with lower noise and lower dropout.

产品详情

Rating Catalog Vin (max) (V) 6.5 Vin (min) (V) 2.2 Iout (max) (A) 1 Output options Adjustable Output, Fixed Output Vout (max) (V) 6 Vout (min) (V) 0.8 Fixed output options (V) 1.2, 1.8, 3.3, 5 Noise (µVrms) 50 PSRR at 100 KHz (dB) 57 Iq (typ) (mA) 0.06 Features Enable Thermal resistance θJA (°C/W) 48 Load capacitance (min) (µF) 4.7 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 3 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 170 Operating temperature range (°C) -40 to 125
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VSON (DRB) 8 9 mm² (3 mm × 3 mm)
  • 具有使能功能的低压降 1A 稳压器
  • 可调节输出电压:0.8V 至 6V
  • 固定输出电压:0.8V 至 6V
  • 宽带宽高 PSRR:
    • 1kHz 时为 63dB
    • 100kHz 时为 57dB
    • 1MHz 时为 38dB
  • 低噪音:(14 × VOUT ) µVRMS 典型值(100Hz 至 100kHz)
  • 与 4.7µF 陶瓷电容器一起工作时保持稳定
  • 出色的负载/线路瞬态响应
  • 总体精度 3%(在负载/线路/温度范围内)
  • 过流和过热保护
  • 极低压降:1A 时的典型值为 170mV
  • 3mm × 3mm VSON-8 DRB 封装
  • 具有使能功能的低压降 1A 稳压器
  • 可调节输出电压:0.8V 至 6V
  • 固定输出电压:0.8V 至 6V
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  • 与 4.7µF 陶瓷电容器一起工作时保持稳定
  • 出色的负载/线路瞬态响应
  • 总体精度 3%(在负载/线路/温度范围内)
  • 过流和过热保护
  • 极低压降:1A 时的典型值为 170mV
  • 3mm × 3mm VSON-8 DRB 封装

TPS7A80 系列低压降线性稳压器 (LDO) 在输出端提供极高的电源纹波抑制 (PSRR)。该 LDO 系列器件采用先进的 BiCMOS 工艺和 PMOSFET 导通器件,从而实现极低噪声、出色的瞬态响应和卓越的 PSRR 性能。

TPS7A80 系列与 4.7µF 陶瓷输出电容器一起工作时保持稳定,并使用一个精确电压基准和反馈环路,从而在所有负载、线路、过程和温度变化范围内,即使在最坏的情况下,也能实现 3% 的精度。

该系列器件的额定工作温度范围 TJ = –40°C 至 +125°C,并采用装有散热焊盘的 3mm × 3mm VSON-8 封装。

TPS7A80 系列低压降线性稳压器 (LDO) 在输出端提供极高的电源纹波抑制 (PSRR)。该 LDO 系列器件采用先进的 BiCMOS 工艺和 PMOSFET 导通器件,从而实现极低噪声、出色的瞬态响应和卓越的 PSRR 性能。

TPS7A80 系列与 4.7µF 陶瓷输出电容器一起工作时保持稳定,并使用一个精确电压基准和反馈环路,从而在所有负载、线路、过程和温度变化范围内,即使在最坏的情况下,也能实现 3% 的精度。

该系列器件的额定工作温度范围 TJ = –40°C 至 +125°C,并采用装有散热焊盘的 3mm × 3mm VSON-8 封装。

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设计与开发

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LMK03318EVM 可用作合规性测试、性能评估和初始系统原型设计的灵活、多输出时钟源。边缘安装的 SMA 端口用于访问 LMK03318 时钟输入和输出,进而通过市面上出售的同轴电缆、适配器或平衡-非平衡变压器(需单独购买)对接至测试设备和参考板。这种连接可在 TI 的 LMK03318 与第三方 FPGA/ASIC/SoC (...)

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LMK03328EVM 可用作合规性测试、性能评估和初始系统原型设计的灵活、多输出时钟源。边缘安装的 SMA 端口用于访问 LMK03328 时钟输入和输出,进而通过市面上出售的同轴电缆、适配器或平衡-非平衡变压器(需单独购买)对接至测试设备和参考板。这种连接可在 TI 的 LMK03328 与第三方 FPGA/ASIC/SoC (...)

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TPS7A8001DRBEVM — TPS7A8001 低噪声、高带宽 PSRR、1A LDO 线性稳压器评估模块

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仿真模型

TPS7A8001 PSpice Transient Model (Rev. A)

SBVM298A.ZIP (23 KB) - PSpice 模型
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仿真模型

TPS7A8001 Unencrypted PSpice Transient Model

SBVM880.ZIP (1 KB) - PSpice 模型
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TPS7A8012 PSpice Transient Model

SBVM884.ZIP (40 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
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TPS7A8012 Unencrypted PSpice Transient Model

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TPS7A8018 PSpice Transient Model

SBVM890.ZIP (40 KB) - PSpice 模型
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TPS7A8018 Unencrypted PSpice Transient Model

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TPS7A8033 PSpice Transient Model

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TPS7A8050 PSpice Transient Model

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SBVM885.ZIP (2 KB) - PSpice 模型
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参考设计

TIDA-00068 — 具有 DPD 反馈路径的基站收发器

该设计适用于小型蜂窝基站开发平台。其提供两条实际的接收路径、两条复杂的传输路径和一条共享的实际反馈路径。该设计具有小型蜂窝基站的尺寸,却具有大型基站的性能。当前设计可处理高达 20MHz 的带宽。

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TIDA-00074 — 宽带射频转数字复数接收器反馈信号链

这是一个宽带复数接收器参考设计和评估平台,非常适合用作发送器数字预失真的反馈接收器。EVM 信号链非常适合高中频 (IF) 复数反馈应用,包含一个复数解调器、TI 的 LMH6521 双通道 DVGA 和 ADS5402 12 位 800-MSPS 双通道 ADC。通过修改板载滤波器元件,针对各种频率计划配置信号链。此 EVM 还包括 TI 的 LMK04808 双 PLL 时钟抖动清除器和发生器,能提供板载低噪声时钟解决方案。LMH6521 DVGA 增益通过 GUI 进行控制,或通过带有 FPGA 的高速连接器进行控制。

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TIDA-00076 — 相邻通道功率比 (ACPR) 和误差矢量幅度 (%EVM) 测量

该参考设计讨论了如何将 TSW3085EVM 与 TSW3100 图形发生器配合使用来测试 LTE 基带信号的相邻通道功率比 (ACPR) 和误差矢量幅度 (EVM) 测量。通过使用 TSW3100 LTE GUI,图形被加载到由 DAC3482、TRF3705 和 LMK04806 组成的 TSW3085EVM 中。

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参考设计

TIDA-00092 — 优化 LMH6554 以驱动高速 ADC

该参考设计展示了高速放大器 LMH6554 能够将单端信号转换为差分信号,从而驱动高速模数转换器 (ADC),同时保持出色的噪声和失真性能。展示了与 ADS4449 四通道、250MSPS、14 位 ADC 连接时,交流耦合和直流耦合应用的性能与输入频率关系。讨论并测量了共模电压、电源和接口的各种选项,以满足各种应用的要求。展示了抗混叠滤波器示例及其具备的性能改进。

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参考设计

TIDA-00093 — 优化 THS4509,驱动高速 ADC 的参考设计

该参考设计展示了高速放大器 THS4509 执行单端至差分转换以驱动高速模数转换器 (ADC) 的能力,同时保持出色的噪声和失真性能。展示了与 ADS4449 四通道、250MSPS、14 位 ADC 连接时,交流耦合和直流耦合应用的性能与输入频率关系。讨论并测量了共模电压、电源和接口的各种选项,以满足各种应用的要求。展示了抗混叠滤波器示例及其具备的性能改进。

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TIDA-00094 — 具有可变增益放大器的四通道 250Msps 数字转换器参考设计

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TI TPS53625 VR12 参考设计 (TIDA-00507) 支持 Intel® Atom™ C2000,结合使用 TI 的无驱 PWM 架构和 TI 功率级,可实现高功率密度、高效率和低元件数量,同时凭借低纹波和高输出电流监控精度满足 Intel 电压容差要求。

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该参考设计展示了各种电源架构,这些架构可为需要 >1A 负载电流和高效率的应用处理器模块生成多个电压轨。所需的电源通过来自背板的 5V、12V 或 24V 直流输入生成。电源通过带集成 FET 的直流/直流转换器生成并且使用带集成电感器的电源模块以减小尺寸。此设计采用 HotRod™ 封装类型,适用于需要低 EMI 的应用,也非常适合设计时间受限的应用。其他功能包括 DDR 端接稳压器、输入电源 OR-ing、电压时序控制、过载保护电子保险丝以及电压和负载电流监控。该设计可以用于处理器、数字信号处理器和现场可编程门阵列。该设计已依照 CISPR22 标准针对辐射发射进行了测试,符合 A (...)
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSON (DRB) 8 Ultra Librarian

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