TLV757P

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具有使能功能的 1A、低 IQ、高精度、低压降稳压器

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Output options Fixed Output Iout (max) (A) 1 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.45 Vout (max) (V) 4 Vout (min) (V) 0.7 Fixed output options (V) 0.9, 1, 1.2, 1.5, 1.8, 1.9, 2.5, 2.8, 2.9, 3, 3.3, 4 Noise (µVrms) 60 Iq (typ) (mA) 0.025 Thermal resistance θJA (°C/W) 100.2 Rating Catalog Load capacitance (min) (µF) 1 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Foldback Overcurrent protection, Soft start Accuracy (%) 1 PSRR at 100 KHz (dB) 45 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 425 Operating temperature range (°C) -40 to 125
Output options Fixed Output Iout (max) (A) 1 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.45 Vout (max) (V) 4 Vout (min) (V) 0.7 Fixed output options (V) 0.9, 1, 1.2, 1.5, 1.8, 1.9, 2.5, 2.8, 2.9, 3, 3.3, 4 Noise (µVrms) 60 Iq (typ) (mA) 0.025 Thermal resistance θJA (°C/W) 100.2 Rating Catalog Load capacitance (min) (µF) 1 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Foldback Overcurrent protection, Soft start Accuracy (%) 1 PSRR at 100 KHz (dB) 45 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 425 Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8 WSON (DRV) 6 4 mm² 2 x 2
  • 输入电压范围:1.45 V 至 5.5 V
  • 可提供固定输出电压:
    • 0.6V 至 5V(50mV 步长)
  • 低 IQ:25µA(典型值)
  • 低压降:
    • 在 1 A 下为 425 mV(最大值)(VOUT 为 3.3V)
  • 输出精度:1%(最大值)
  • 内置软启动功能,具有单调 VOUT 上升
  • 折返电流限制
  • 有源输出放电
  • 高 PSRR:100kHz 时为 45dB
  • 与 1µF 的陶瓷输出电容器搭配使用时可保持稳定
  • 封装:
    • 2.9mm × 2.8mm SOT-23-5 (DBV)
    • 2.9mm × 2.8mm SOT-23-5 (DYD)(预发布)
    • 2mm × 2mm WSON-6 (DRV)
  • 输入电压范围:1.45 V 至 5.5 V
  • 可提供固定输出电压:
    • 0.6V 至 5V(50mV 步长)
  • 低 IQ:25µA(典型值)
  • 低压降:
    • 在 1 A 下为 425 mV(最大值)(VOUT 为 3.3V)
  • 输出精度:1%(最大值)
  • 内置软启动功能,具有单调 VOUT 上升
  • 折返电流限制
  • 有源输出放电
  • 高 PSRR:100kHz 时为 45dB
  • 与 1µF 的陶瓷输出电容器搭配使用时可保持稳定
  • 封装:
    • 2.9mm × 2.8mm SOT-23-5 (DBV)
    • 2.9mm × 2.8mm SOT-23-5 (DYD)(预发布)
    • 2mm × 2mm WSON-6 (DRV)

TLV757P 低压降稳压器 (LDO) 是一款超小型低静态电流 LDO,可提供 1A 拉电流,具有良好的线路和负载瞬态性能。TLV757P 经过优化,支持 1.45V 至 5.5V 的输入电压范围,从而适用于各种应用。为尽可能降低成本和缩小解决方案尺寸,此器件可在 0.6V 至 5V 范围内提供固定输出电压,以支持现代微控制器 (MCU) 更低的内核电压。此外,TLV757P 具备带有使能功能的低 IQ,从而可将待机功耗降至最低。此器件具有内部软启动功能,旨在降低浪涌电流,可为负载提供受控电压并在启动过程中更大限度减小输入电压压降。关断时,该器件可主动下拉输出以快速释放输出并确保已知的启动状态。

TLV757P 在与支持小尺寸总体解决方案的小型陶瓷输出电容器搭配使用时,可保持稳定。高精度带隙与误差放大器支持 1% 的典型精度。所有器件版本均具有集成的热关断保护、电流限制和低压锁定 (UVLO) 功能。TLV757P 具有内部折返电流限制,有助于在发生短路时减少热耗散。

TLV757 采用流行的 SON 和 SOT23-5 封装。该器件还提供带有散热焊盘的热增强型 SOT23-5 封装 (DYD),与标准 SOT23-5 封装相比,热阻显著降低。

TLV757P 低压降稳压器 (LDO) 是一款超小型低静态电流 LDO,可提供 1A 拉电流,具有良好的线路和负载瞬态性能。TLV757P 经过优化,支持 1.45V 至 5.5V 的输入电压范围,从而适用于各种应用。为尽可能降低成本和缩小解决方案尺寸,此器件可在 0.6V 至 5V 范围内提供固定输出电压,以支持现代微控制器 (MCU) 更低的内核电压。此外,TLV757P 具备带有使能功能的低 IQ,从而可将待机功耗降至最低。此器件具有内部软启动功能,旨在降低浪涌电流,可为负载提供受控电压并在启动过程中更大限度减小输入电压压降。关断时,该器件可主动下拉输出以快速释放输出并确保已知的启动状态。

TLV757P 在与支持小尺寸总体解决方案的小型陶瓷输出电容器搭配使用时,可保持稳定。高精度带隙与误差放大器支持 1% 的典型精度。所有器件版本均具有集成的热关断保护、电流限制和低压锁定 (UVLO) 功能。TLV757P 具有内部折返电流限制,有助于在发生短路时减少热耗散。

TLV757 采用流行的 SON 和 SOT23-5 封装。该器件还提供带有散热焊盘的热增强型 SOT23-5 封装 (DYD),与标准 SOT23-5 封装相比,热阻显著降低。

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* 数据表 TLV757P 1A、低 IQ 、小型、低压降稳压器 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.B) PDF | HTML 2024年 1月 2日

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