封装信息
封装 | 引脚 VSON (DRB) | 8 |
工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R |
TPS735-Q1 的特性
- 适用于汽车电子 应用
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
- 器件温度 1 级:–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 输入电压:2.7V 至 6.5V
- 带 EN 引脚的 500mA 低压降稳压器
- 低 IQ:46µA
- 提供了多个输出电压版本:
- 1V 至 4.3V 固定输出
- 1.25V 至 6V 可调节输出
- 高 PSRR:1kHz 频率下为 68dB
- 低噪声:13.2µVRMS
- 快速启动时间:45µs
- 与低 ESR 2µF 输出电容器一起工作时保持稳定
- 出色的负载和线路瞬态响应
- 2% 的总体精度
(负载、线路、温度,VOUT > 2.2V) - 低压降:500mA 时为 280mV
- 3mm × 3mm VSON-8 封装
TPS735-Q1 的说明
TPS735-Q1 低压降 (LDO),低功耗线性稳压器系列产品能够提供出色的交流性能,同时还能保证极低的接地电流。可提供高电源抑制比 (PSRR)、低噪声、快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应,同时消耗极低的 46µA(典型值)接地电流。
TPS735-Q1 系列器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定,并且该器件使用先进的 BiCMOS 制造工艺,能够在输出 500mA 输出电流时产生 280mV 的典型压降。TPS735-Q1 系列器件使用一个精度电压基准和反馈环路来实现 2% 的整体精度(包括全部负载、线路、过程和温度变化,VOUT > 2.2V)。该系列器件的额定 TA 为 –40°C 至 125°C,采用薄型 3mm × 3mm VSON 封装。