TPS53830
- 单器件设计,支持 DDR5 应用
- 3 个输出,可支持 VDD (1.1V)、VDDQ (1.1V) 和 VPP (1.8V),并具有可选的第 4 个输出 (VDD2)
- 对于 3 个输出,VDD(SWA 双相)为 12A、VDDQ(SWC) 为 6A,VPP(SWD) 为 5A,具有 3 路输出
- 对于 4 个输出,VDD1(SWA) 为 6A、VDD2(SWB) 为 6A、VDDQ(SWC) 为 6A,VPP(SWD) 为 5A
- 差分遥感:VDD、VDDQ 和 VPP
- D-CAP+™ 控制,可实现快速瞬态响应
- 宽输入电压:4.5 V 至 15 V
- 可编程内部环路补偿
- 每相逐周期电流限制
- 可编程频率:500 kHz 至 1.375 MHz
- 支持用于电压、电流、功率、温度和故障状况遥测的 I2C 和 I3C 总线接口
- 过流、过压和过热保护
- 持久寄存器(黑盒)功能
- 低静态电流
- 5mm × 5mm、35 引脚、QFN PowerPad™ 封装
TPS53830 是适用于 DDR5 on-DIMM 电源的 D-CAP+™ 模式集成式降压转换器。该转换器具有可配置的电流范围,可为 DIMM 模块上的 DRAM 芯片提供 VDD、VDDQ 和 VPP 电压。高电流轨可以配置为两相或 2 个输出,从而提供高达 12A(或 6A + 6A)的电流,并采用 D-CAP+™ 模式控制。该转换器还采用内部补偿以方便使用并减少外部元件。
该转换器提供全套遥测功能,包括输入电压、输出电压和输出电流。此外,还提供过压、欠压、过流限制和过热保护。
TPS53830 采用耐热增强型 35 引脚 QFN 封装,工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。
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设计和开发
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封装 | 引脚 | 下载 |
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VQFN-HR (RWZ) | 35 | 查看选项 |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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