产品详细信息

DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 Control mode D-CAP, S3, S4/S5 Iout VTT (Max) (A) 3 Iq (Typ) (mA) 0.5 Output VREF, VTT Vin (Min) (V) 1.1 Vin (Max) (V) 3.5 Features S3/S5 Support Rating Automotive
DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3 Control mode D-CAP, S3, S4/S5 Iout VTT (Max) (A) 3 Iq (Typ) (mA) 0.5 Output VREF, VTT Vin (Min) (V) 1.1 Vin (Max) (V) 3.5 Features S3/S5 Support Rating Automotive
VSON (DRC) 10 9 mm² 3 x 3
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 AEC-Q100 标准:
    • 器件温度等级 1:
      –40°C ≤ TA ≤ 125°C
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 扩展的可靠性测试
  • 输入电压:支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
  • VLDOIN 电压范围:1.1V 至 3.5V
  • 具有压降补偿功能的灌电流和拉电流终端稳压器
  • 所需最小输出电容为 20µF(通常为 3 × 10µF MLCC),用于存储器终端 应用 (DDR)
  • 用于监视输出稳压的 PGOOD
  • EN 输入
  • REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
  • 远程检测 (VOSNS)
  • ±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
  • 内置软启动、UVLO 和 OCL
  • 热关断
  • 符合 DDR、DDR2 JEDEC 规范;支持 DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
  • 带外露散热焊盘的 VSON-10 封装
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 AEC-Q100 标准:
    • 器件温度等级 1:
      –40°C ≤ TA ≤ 125°C
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 扩展的可靠性测试
  • 输入电压:支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
  • VLDOIN 电压范围:1.1V 至 3.5V
  • 具有压降补偿功能的灌电流和拉电流终端稳压器
  • 所需最小输出电容为 20µF(通常为 3 × 10µF MLCC),用于存储器终端 应用 (DDR)
  • 用于监视输出稳压的 PGOOD
  • EN 输入
  • REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
  • 远程检测 (VOSNS)
  • ±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
  • 内置软启动、UVLO 和 OCL
  • 热关断
  • 符合 DDR、DDR2 JEDEC 规范;支持 DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
  • 带外露散热焊盘的 VSON-10 封装

TPS51200A-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器,专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。

此器件可保持快速的瞬态响应,最低仅需 20µF 输出电容。此器件支持遥感功能,并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。

此外,该器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压,并提供一个 EN 信号在 S3(挂起至 RAM)期间针对 DDR 应用进行 VTT 放电。

此器件采用高效散热型 VSON-10 封装,具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。

TPS51200A-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器,专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。

此器件可保持快速的瞬态响应,最低仅需 20µF 输出电容。此器件支持遥感功能,并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。

此外,该器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压,并提供一个 EN 信号在 S3(挂起至 RAM)期间针对 DDR 应用进行 VTT 放电。

此器件采用高效散热型 VSON-10 封装,具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。

下载

技术文档

star = 有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看全部 2
类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TPS51200A-Q1 灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 11 Mar 2019
应用手册 DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A) 09 Jul 2020

设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

评估板

TPS51200EVM — TPS51200 吸入/输出 DDR 终止稳压器

TPS51200EVM 评估板(即 HPA322A)用于评估成本优化的 TI DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终止稳压器(即 TPS51200)的性能和特性。TPS51200 用于提供合适的终止电压并为具有最少外部组件的 DDR 存储器(包括 DDR (2.5 V/1.25 V)、DDR2 (1.8 V/0.9 V)、DDR3 (1.5 V/0.75 V)、LP DDR3 (1.2 V/0.6 V) 等规格)提供 10mA 缓冲参考电压。

TI.com 無法提供
参考设计

TIDEP-01017 — TIDEP-01017

级联开发套件具有两个主要用例:
  1. 要使用 MMWCAS-DSP-EVM 作为捕获卡,并通过 mmWave Studio 工具完整评估 AWR2243 四芯片级联性能,请查看 TIDEP-01012 设计指南
  2. 要使用 MMWCAS-DSP-EVM 开发雷达实时 SW 应用,请查看 TIDEP-01017 设计指南

此参考设计为级联成像雷达系统奠定了处理基础。级联雷达设备可支持前端远距离 (LRR) 波束形成应用以及角级联和侧级联雷达和传感器融合系统。此参考设计为有资质的开发人员提供了设计材料,供开发人员创建用于开发和测试 ADAS (...)

参考设计

PMP30785 — Automotive multi-rail power supply for driving monitoring system reference design

此参考设计展示了用于驱动监控系统的电子控制单元 (ECU) 的非隔离式汽车电源的性能参考设计包括带九个电源插座的电源产品组合。
封装 引脚数 下载
VSON (DRC) 10 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

视频