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TPIC6B595

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150mA/通道 8 位移位寄存器

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功能与比较器件相同，但引脚排列有所不同
TLC6C598-Q1 正在供货 汽车类电源逻辑 8 位移位寄存器 LED 驱动器 Same output channel with smaller footprint and support lower supply voltage

TPIC6B595

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产品详情

Number of channels 8 Topology Open drain Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 5.5 Vout (max) (V) 50 Features Thermal shutdown
Number of channels 8 Topology Open drain Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 5.5 Vout (max) (V) 50 Features Thermal shutdown
PDIP (N) 20 228.702 mm² 24.33 x 9.4 SOIC (DW) 20 131.84 mm² 12.8 x 10.3
  • 低 rDS(on)，5Ω（典型值）
  • 雪崩能量，30mJ
  • 150mA 连续电流的八个功率 DMOS 晶体管输出
  • 输出钳位电压，50V
  • 器件可级联
  • 低功耗
  • 低 rDS(on)，5Ω（典型值）
  • 雪崩能量，30mJ
  • 150mA 连续电流的八个功率 DMOS 晶体管输出
  • 输出钳位电压，50V
  • 器件可级联
  • 低功耗

TPIC6B595 器件是一款单片、高压、中等电流功率 8 位移位寄存器，专为负载功率要求相对较高的系统而设计。该器件包含内置的输出钳位电压，用于提供电感瞬态保护。电源驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中等电流或高电压负载。

该器件包含一个可对 8 位 D 类存储寄存器进行馈送的 8 位串行输入、并行输出移位寄存器。移位和存储寄存器之间的数据传输分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升沿上发生。

当移位寄存器清零 (SRCLR) 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。只有当 RCK 为低电平时，写入数据和读取数据才有效。当 SRCLR 为低电平时，输入移位寄存器将清零。当输出使能 (G) 保持高电平时，输出缓冲器中的所有数据将保持低电平，并且所有漏极输出将关闭。当 G 保持低电平时，来自存储寄存器中的数据对输出缓冲器透明。当输出缓冲器中的数据较低时，DMOS 晶体管的输出被关闭。当数据较高时，DMOS 晶体管输出具有灌电流能力。串行输出 (SER OUT) 允许将数据从移位寄存器级联到其他器件。

输出为低侧、漏极开路 DMOS 晶体管，额定输出功率为 50V，连续灌电流能力为 150mA。在 TC = 25°C 时，每个输出可提供 500mA 的典型电流限。电流限制会随着结温的升高而降低，以实现额外的器件保护。

TPIC6B595 具有 -40°C 至 125°C 的额定管壳工作温度范围。

TPIC6B595 器件是一款单片、高压、中等电流功率 8 位移位寄存器，专为负载功率要求相对较高的系统而设计。该器件包含内置的输出钳位电压，用于提供电感瞬态保护。电源驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中等电流或高电压负载。

该器件包含一个可对 8 位 D 类存储寄存器进行馈送的 8 位串行输入、并行输出移位寄存器。移位和存储寄存器之间的数据传输分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升沿上发生。

当移位寄存器清零 (SRCLR) 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。只有当 RCK 为低电平时，写入数据和读取数据才有效。当 SRCLR 为低电平时，输入移位寄存器将清零。当输出使能 (G) 保持高电平时，输出缓冲器中的所有数据将保持低电平，并且所有漏极输出将关闭。当 G 保持低电平时，来自存储寄存器中的数据对输出缓冲器透明。当输出缓冲器中的数据较低时，DMOS 晶体管的输出被关闭。当数据较高时，DMOS 晶体管输出具有灌电流能力。串行输出 (SER OUT) 允许将数据从移位寄存器级联到其他器件。

输出为低侧、漏极开路 DMOS 晶体管，额定输出功率为 50V，连续灌电流能力为 150mA。在 TC = 25°C 时，每个输出可提供 500mA 的典型电流限。电流限制会随着结温的升高而降低，以实现额外的器件保护。

TPIC6B595 具有 -40°C 至 125°C 的额定管壳工作温度范围。
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* 数据表 TPIC6B595 电源逻辑 8 位移位寄存器 数据表 (Rev. D) PDF | HTML 英语版 (Rev.D) PDF | HTML 2025年 7月 30日
应用手册 TPIC6595 Power+ Logic(TM) 8-Bit Shift Reg. With Low-Side Power DMOS Switches (Rev. A) 1993年 7月 1日

设计和开发

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  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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