TPIC6A595
- 低 rDS(on)：1Ω（典型值）
- 输出短路保护
- 雪崩能量：75mJ
- 8 路 350mA DMOS 输出
- 50V 开关能力
- 器件可级联
- 低功耗
TPIC6A595 是一款集成化的高压高电流功率逻辑 8 位移位寄存器，专为在需要相对较大负载功率的系统中使用而设计。该器件包含内置的输出钳位电压，用于提供电感瞬态保护。电源驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中等电流或高电压负载。每个开漏 DMOS 晶体管都具有独立的斩波限流电路，以防止在短路情况下损坏。
该器件包含一个 8 位串入并出移位寄存器，用于驱动一个 8 位 D 型存储寄存器。数据分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升沿，通过移位寄存器和存储寄存器进行传输。当移位寄存器清零信号 (SRCLR) 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。只有当 RCK 为低电平时，写入数据和读取数据才有效。当 SRCLR 为低电平时，输入移位寄存器将清零。当输出使能 (G) 保持高电平时，输出缓冲器中的所有数据将保持低电平，并且所有漏极输出将关闭。当 G 保持低电平时，来自存储寄存器中的数据对输出缓冲器透明。串行输出 (SER OUT) 允许将数据从移位寄存器级联到其他器件。
输出端采用低侧漏极开路 DMOS 晶体管，额定输出电压为 50V，持续灌电流能力为 350mA。当输出缓冲器中的数据较低时，DMOS 晶体管的输出被关闭。当数据较高时，DMOS 晶体管输出具有灌电流能力。
器件提供单独的电源接地 (PGND) 和逻辑接地 (LGND) 端子，实现最大的系统灵活性。所有 PGND 端子在内部已连接，每个 PGND 端子必须外部连接至电源系统接地，最小化寄生阻抗。LGND 和 PGND 之间必须在外部进行单点连接，其连接方式应能减少逻辑电路与负载电路之间的串扰。
TPIC6A595 提供热强化型双列直插式 (NE) 封装和宽体表面贴装 (DW) 封装两种封装形式。TPIC6A595 的工作壳温范围为 -40°C 至 125°C。
技术文档
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPIC6A595 电源逻辑 8 位移位寄存器 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2025-3-26 |
设计与开发
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DW) | 24 | Ultra Librarian |
| PDIP (NE) | 20 | Ultra Librarian |
订购和质量
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