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TPIC6A595

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350mA/通道 8 位移位寄存器

产品详情

Number of channels 8 Topology Open drain Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 5.5 Vout (max) (V) 50 Features Enable/Shutdown, Thermal shutdown
Number of channels 8 Topology Open drain Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 5.5 Vout (max) (V) 50 Features Enable/Shutdown, Thermal shutdown
PDIP (NE) 20 224.0214 mm² 24.51 x 9.14 SOIC (DW) 24 159.65 mm² 15.5 x 10.3
  • 低 rDS(on):1Ω(典型值)
  • 输出短路保护
  • 雪崩能量:75mJ
  • 8 路 350mA DMOS 输出
  • 50V 开关能力
  • 器件可级联
  • 低功耗
  • 低 rDS(on):1Ω(典型值)
  • 输出短路保护
  • 雪崩能量:75mJ
  • 8 路 350mA DMOS 输出
  • 50V 开关能力
  • 器件可级联
  • 低功耗

TPIC6A595 是一款集成化的高压高电流功率逻辑 8 位移位寄存器,专为在需要相对较大负载功率的系统中使用而设计。该器件包含内置的输出钳位电压,用于提供电感瞬态保护。电源驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中等电流或高电压负载。每个开漏 DMOS 晶体管都具有独立的斩波限流电路,以防止在短路情况下损坏。

该器件包含一个 8 位串入并出移位寄存器,用于驱动一个 8 位 D 型存储寄存器。数据分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升沿,通过移位寄存器和存储寄存器进行传输。当移位寄存器清零信号 (SRCLR) 为高电平时,存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。只有当 RCK 为低电平时,写入数据和读取数据才有效。当 SRCLR 为低电平时,输入移位寄存器将清零。当输出使能 (G) 保持高电平时,输出缓冲器中的所有数据将保持低电平,并且所有漏极输出将关闭。当 G 保持低电平时,来自存储寄存器中的数据对输出缓冲器透明。串行输出 (SER OUT) 允许将数据从移位寄存器级联到其他器件。

输出端采用低侧漏极开路 DMOS 晶体管,额定输出电压为 50V,持续灌电流能力为 350mA。当输出缓冲器中的数据较低时,DMOS 晶体管的输出被关闭。当数据较高时,DMOS 晶体管输出具有灌电流能力。

器件提供单独的电源接地 (PGND) 和逻辑接地 (LGND) 端子,实现最大的系统灵活性。所有 PGND 端子在内部已连接,每个 PGND 端子必须外部连接至电源系统接地,最小化寄生阻抗。LGND 和 PGND 之间必须在外部进行单点连接,其连接方式应能减少逻辑电路与负载电路之间的串扰。

TPIC6A595 提供热强化型双列直插式 (NE) 封装和宽体表面贴装 (DW) 封装两种封装形式。TPIC6A595 的工作壳温范围为 -40°C 至 125°C。

TPIC6A595 是一款集成化的高压高电流功率逻辑 8 位移位寄存器,专为在需要相对较大负载功率的系统中使用而设计。该器件包含内置的输出钳位电压,用于提供电感瞬态保护。电源驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中等电流或高电压负载。每个开漏 DMOS 晶体管都具有独立的斩波限流电路,以防止在短路情况下损坏。

该器件包含一个 8 位串入并出移位寄存器,用于驱动一个 8 位 D 型存储寄存器。数据分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升沿,通过移位寄存器和存储寄存器进行传输。当移位寄存器清零信号 (SRCLR) 为高电平时,存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。只有当 RCK 为低电平时,写入数据和读取数据才有效。当 SRCLR 为低电平时,输入移位寄存器将清零。当输出使能 (G) 保持高电平时,输出缓冲器中的所有数据将保持低电平,并且所有漏极输出将关闭。当 G 保持低电平时,来自存储寄存器中的数据对输出缓冲器透明。串行输出 (SER OUT) 允许将数据从移位寄存器级联到其他器件。

输出端采用低侧漏极开路 DMOS 晶体管,额定输出电压为 50V,持续灌电流能力为 350mA。当输出缓冲器中的数据较低时,DMOS 晶体管的输出被关闭。当数据较高时,DMOS 晶体管输出具有灌电流能力。

器件提供单独的电源接地 (PGND) 和逻辑接地 (LGND) 端子,实现最大的系统灵活性。所有 PGND 端子在内部已连接,每个 PGND 端子必须外部连接至电源系统接地,最小化寄生阻抗。LGND 和 PGND 之间必须在外部进行单点连接,其连接方式应能减少逻辑电路与负载电路之间的串扰。

TPIC6A595 提供热强化型双列直插式 (NE) 封装和宽体表面贴装 (DW) 封装两种封装形式。TPIC6A595 的工作壳温范围为 -40°C 至 125°C。

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TPIC6A595 电源逻辑 8 位移位寄存器 数据表 (Rev. C) PDF | HTML 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2025年 3月 26日

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