IDE、配置、编译器或调试器
ASC-STUDIO-TMP6 — ASC studio for configuring all aspects of the TMP6 temperature sensor
SysConfig can be used to help simplify configuration challenges and accelerate software development with the TMP6 temperature sensor.
TMP61
- 具有正温度系数 (PTC) 的硅基热敏电阻
- 线性电阻随温度变化
- 在 25°C 下具有 10kΩ 标称电阻 (R25)
- ±1% 最大值（0°C 至 70°C）
- –40°C 至 +125°C 的宽工作温度范围
- 在整个温度范围内具有稳定的灵敏度
- 6400ppm/°C TCR (25°C)
- 在整个温度范围内具有 0.2% 的典型 TCR 容差
- 快速热响应时间为 0.6s (DEC)
- 长寿命和稳健性能
- 内置失效防护，能够在发生短路故障时提供保护
- 传感器长期温漂典型值为 0.5%
立即开始使用热敏电阻设计工具，它提供了完整的电阻与温度关系表（R-T 表）的计算以及用于推导温度和示例 C 代码的有用方法。
TMP61 线性热敏电阻可在整个温度范围内提供线性度和始终如一的灵敏度，支持使用简单而准确的方法进行温度转换。器件的低功耗和较小的热质量可最大限度地减小自发热的影响。
这些器件具有内置的高温失效防护性能以及对环境变化的强大抵抗力，设计用于长寿命的高性能应用。TMP6 系列器件的小巧外形还允许靠近热源放置，并具有快速响应时间。
与 NTC 热敏电阻相比，它具有以下优点：无需额外的线性化电路、校准最小化、电阻容差变化更小、高温下灵敏度更高，以及可节省处理器时间和内存的简化转换方法。
TMP61 目前采用与 0402 封装兼容的 X1SON 封装、与 0603 封装兼容的 SOT-5X3 封装，以及 2 引脚穿孔式 TO-92S 封装。
The TMP61 family has been named the 2020 Sensor Product of the Year by Electronic Products.
技术文档
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评估板
TMP6EVM — 线性硅 TMP6 热敏电阻评估模块
The TMP6EVM evaluation kit is a plug and play system to test and evaluate the linear silicon TMP6 thermistor. The EVM can be powered with either with USB or a CR2032 coin cell battery. The EVM is a standalone module that supports the TMP116 digital sensor and two analog channels. The TMP116 can be (...)
用户指南: PDF
计算工具
TMP6-THERMISTOR-DESIGN — 具有查找表、性能比较和代码示例的 TMP6 热敏电阻设计工具
与市面上其他传统的负温度系数 (NTC) 或正温度系数 (PTC) 热敏电阻一样，TMP6 线性热敏电阻在系统应用中需使用电阻-温度转换表。除实用工具外，TMP6 热敏电阻设计工具还提供了上述表格来帮助完成系统设计。此工具提供两种选项，即根据设计要求，将热敏电阻用于电阻分压器或恒流电路中。选好合适的工具后，可根据要使用的 TMP6 热敏电阻器件型号、偏置电压/电流、偏置电阻器（如需要）和 ADC 分辨率等对其进行配置。
选择满足系统要求的数值后，开发人员可使用其他选项卡对各种器件、ANSI C (...)
选择满足系统要求的数值后，开发人员可使用其他选项卡对各种器件、ANSI C (...)
参考设计
PMP23069 — 具有 16A 最大输入的 3kW、180W/in3 单相图腾柱无桥 PFC 参考设计
此参考设计是一款基于 GaN 的 3kW 单相持续导通模式 (CCM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器，旨在实现更高的功率密度。该电源旨在支持 16A RMS 的最大输入电流和 3.6kW 的峰值功率。此功率级之后是一个升压转换器，这有助于显著缩小大容量电容器的尺寸。LMG3522 采用 GaN 器件功率级顶部冷却封装，具有集成驱动器和保护功能，可实现更高的效率、缩小低电源尺寸和降低复杂性。F28004x 或 F28002x C2000 控制器可用于所有高级控制，包括快速继电器控制、交流压降事件期间的小幅升压运行、反向电流流动保护以及 PFC 和通用控制器之间的通信。PFC 在 (...)
测试报告: PDF
参考设计
TIDA-010062 — 1-kW, 80 plus titanium, GaN CCM totem pole bridgeless PFC and GaN half-bridge LLC reference design
此参考设计是一种数字控制的紧凑型 1kW 交流/直流电源设计，适用于服务器电源单元 (PSU) 和通信电源整流器应用。 该高效设计支持两个主要功率级，包括一个前端连续导通模式 (CCM) 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 功率级。PFC 功率级采用带有集成驱动器的 LMG341x GaN FET，可在较宽的负载范围内实现高效率，并且符合 80 plus titanium 要求。该设计还支持半桥 LLC 隔离式直流/直流级，以便在 1kW 功率下获得 +12V 直流输出。 两个控制卡使用 C2000™ Piccolo™ 微控制器来控制两个功率级。
参考设计
TIDA-010247 — 具有堆叠式电池监测器的高侧 N-MOSFET 控制（高达 32 节串联）电池包参考设计
此参考设计是一款采用堆叠式 BQ769x2 电池监测器系列的高侧 N 沟道 MOSFET 控制（多达 32 节串联）电池包。该设计可监测每个电芯的电压、电池包电流、电芯温度和 MOSFET 温度，并保护电池包以确保安全使用。高侧 N 沟道 MOSFET 架构和优化的驱动电路可实现轻松的开关控制。此参考设计可实现低待机和运输模式功耗，并减小两组之间的电流差。此参考设计适用于多电芯数高电压电池包应用。
设计指南: PDF
参考设计
TIDA-010216 — 适用于大容量应用且具有低侧 MOSFET 控制功能的 16 芯串联电池包参考设计
此参考设计是一款待机和运输模式电流消耗低、电芯电压精度高的 16 芯串联锂离子、磷酸铁锂电池包。该设计能够非常精确地监测各个电芯的电压和温度、电池包电流和 MOSFET 温度，并防止锂离子和磷酸铁锂电池包出现电芯过压、欠压、过热、充放电过流以及放电短路现象。五对低侧 N 沟道 MOSFET 架构具有强大的开关能力，使该设计能够承受更大的充放电电流。利用高效的辅助电源策略，此参考设计可实现 100μA 待机功耗和 10μA 运输模式功耗，因此能够节省更多能源并实现更长的运输时间和待机时间。这些特性使得此参考设计适用于电信和服务器、住宅储能系统 (...)
设计指南: PDF
参考设计
TIDA-010208 — 具有精确电池测量和高侧 MOSFET 控制功能的 10 节至 16 节串联电池组参考设计
此参考设计是一款待机和运输模式电流消耗低、电池电压精度高的 10-16 节串联锂离子、磷酸铁锂电池组设计。它能够非常精确地监控每节电池的电压和温度、电池组电流和 MOSFET 温度，并防止锂离子、磷酸铁锂电池组出现电池过压、欠压、过热和充放电过流以及放电短路现象。采用高侧 N 沟道 MOSFET 架构，具有强大的驱动开关能力。利用高效的辅助电源策略，此参考设计可实现 100μA 待机功耗和 10μA 运输模式功耗，因此能够节省更多能源并实现更长的运输时间和空闲时间。借助上述特性，此参考设计非常适用于电动自行车和电动踏板车电池组应用。
| 封装 | 引脚数 | 下载 |
|---|---|---|
| SOT-5X3 (DYA) | 2 | 了解详情 |
| TO-92 (LPG) | 2 | 了解详情 |
| X1SON (DEC) | 2 | 了解详情 |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 认证摘要
- 持续可靠性监测