SN74LVC2G07
- Dual Open-Drain Buffer Configuration
- -24-mA Output Drive at 3.3 V
- Support Translation-Up and Down
- Available in the Texas Instruments
NanoFree™ Package - Supports 5-V VCC Operation
- Inputs and Open-Drain Outputs Accept Voltages
Up to 5.5 V - Max tpd of 3.7 ns at 3.3 V
- Low Power Consumption, 10-µA Max ICC
- Typical VOLP (Output Ground Bounce)
<0.8 V at VCC = 3.3 V, TA = 25°C - Typical VOHV (Output VOH Undershoot)
>2 V at VCC = 3.3 V, TA = 25°C - Ioff Supports Live Insertion, Partial-Power-Down
Mode, and Back-Drive Protection - Latch-Up Performance Exceeds 100 mA
Per JESD 78, Class II - ESD Protection Exceeds JESD 22
- 2000-V Human-Body Model (A114-A)
- 200-V Machine Model (A115-A)
- 1000-V Charged-Device Model (C101)
This dual buffer and driver is designed for 1.65-V to 5.5-V VCC operation. The output of the SN74LVC2G07 device is open drain and can be connected to other open-drain outputs to implement active-low wired-OR or active-high wired-AND functions. The maximum sink current is 32 mA.
NanoFree package technology is a major breakthrough in IC packaging concepts, using the die as the package.
This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the outputs, preventing damaging current backflow through the device when it is powered down.
技术文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 29 设计与开发
如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。
评估板
5-8-LOGIC-EVM — 支持 5 至 8 引脚 DCK、DCT、DCU、DRL 和 DBV 封装的通用逻辑评估模块
灵活的 EVM 设计用于支持具有 5 至 8 引脚数且采用 DCK、DCT、DCU、DRL 或 DBV 封装的任何器件。
用户指南: PDF
评估板
5-8-NL-LOGIC-EVM — 支持 5 至 8 引脚 DPW、DQE、DRY、DSF、DTM、DTQ 和 DTT 封装的通用逻辑和转换 EVM
通用 EVM 旨在支持采用 DTT、DRY、DPW、DTM、DQE、DQM、DSF 或 DTQ 封装的任何逻辑或转换器件。电路板设计可实现灵活的评估。
评估板
TAS6424EQ1EVM — TAS6424E-Q1 75W、2MHz、四通道数字输入 D 类音频放大器评估模块
TAS6424EQ1EVM 评估模块 (EVM) 展示了适用于汽车信息娱乐系统的 TAS6424E-Q1 2.1MHz、四通道数字输入 D 类音频放大器解决方案。2.1MHz 的开关频率能显著缩减电感器尺寸。TAS6424E-Q1 可在 14.4V 的电源电压条件下,为 4Ω 负载提供每通道 25W 功率 (10% THD+N),并集成了 I2C 诊断和保护功能。TAS6424E-Q1 采用可满足 CISPR25 5 类 EMI 合规性标准的展频技术。
评估板
TAS6501Q1EVM — TAS6501-Q1 评估模块
TAS65x1-Q1 评估模块 (EVM) 展示了具有集成数字信号处理器 (DSP) 的 TAS6511-Q1 和 TAS6501-Q1 单通道 D 类放大器的所有特性。名为 Purepath™ Console 的图形用户界面 (GUI) 用于将 USB 连接到 EVM。该 EVM 通过 USB 接口提供光纤和同轴电缆 SPDIF 输入,I2S、TDM 以及音频输入。
评估板
TAS6511Q1EVM — TAS6511-Q1 评估模块
TAS6511-Q1 评估模块 (EVM) 展示了具有集成 DSP 的 TAS6511-Q1 单通道 D 类放大器的所有特性。PurePath™ Console 3 图形用户界面 (GUI) 通过 USB 连接 EVM。该 EVM 通过 USB 接口提供光纤和同轴电缆 SPDIF 输入,I2S、TDM 以及音频输入。
驱动程序或库
参考设计
TIDM-SERVODRIVE — 工业伺服驱动器和交流逆变器驱动器参考设计
DesignDRIVE 开发套件是直接连接到三相 ACI 或 PMSM 电机的完整工业驱动的参考设计。通过此单一平台中包含的控制、电源和通信组合技术可创建出众多驱动拓扑。此设计包含多个位置传感器接口、不同的电流感应技术、热侧分区选项和扩展,旨在实现安全的工业以太网。
参考设计
TIDA-01487 — 隔离式 CAN 灵活数据 (FD) 速率中继器参考设计
CAN 和 CANopen 是传统现场总线协议,适用于工厂自动化中的许多应用。只要高电压可能损坏终端设备,就需要隔离器件。此隔离式 CAN 灵活数据 (FD) 速率中继器参考设计在两个 CAN 总线段之间增加了电气隔离。总线段任一侧的 CAN 帧都被重复传输到另一侧。该设计中的 CAN 收发器和仲裁逻辑支持高达 2Mbps 的 CAN FD 速度。本参考设计由 6V 至 36V 的宽电压电源供电。
参考设计
PMP40690 — 采用 C2000™ MCU 和 GaN 的 4kW 交错式 CCM 图腾柱无桥 PFC 参考设计
此参考设计是一款 4kW 交错式 CCM 图腾柱 (TTPL) 无桥 PFC 参考设计,采用了 64 引脚 C2000™ 微控制器、LM3410 氮化镓器件和 TMCS1100 霍尔传感器。它基于使用 C2000™ MCU 的 TIDM-02008 双向交互式 CCM TTPL 无桥 PFC 参考设计,并将整个 PCB 的尺寸降至 145mm x 105mm x 35mm。氮化镓 (GaN) 器件用于功率级,可实现 98.73% 的峰值效率。该设计包含切相、自适应死区时间和输入电容补偿等高级功能,可提高负载范围内的 PF 和效率,并利用非线性电压环路降低负载瞬态下的电压过冲和下冲。
参考设计
TIDA-060001 — SunSpec 快速关断发送和接收参考设计
该参考设计将 AFE031 电力线通信模拟前端与 C2000 MCU 相连接,以使用移频键控 (FSK) 通过有线耦合接口发送和接收数据。该设计演示了 SunSpec 标准协议使用 FSK(FM:131.25kHz 和 FS:143.75kHz)传输特定 33 位字包的过程。目的是为始终保持活动状态的信号提供一套集成系统解决方案,实现光伏逆变器到光伏 (PV) 模块的通信。
参考设计
TIDA-01572 — 数字输入、D 类、IV 感应音频放大器的立体声评估模块参考设计
此参考设计可提供用于 PC 应用的高性能立体声音频子系统。它采用单电源供电,工作电压为 4.5V 至16V,并采用 TAS2770,该器件是一款数字输入 D 类音频放大器,具有出色的噪声和失真性能,并采用 WCSP 和 QFN 封装。该设计还包含两个低压降固定电压稳压器 TL760M33 和 TPS73618,它们分别生成必需的 3.3V 和 1.8V 系统轨。该参考设计具有多功能数字输入接口,支持各种输入格式,同时提供电压和电流检测、电源电压 (VBAT) 和温度的输出数据。该参考设计还包含多路复用功能,支持将多个输入源连接到数字输入。此外,TAS2770 (...)
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| DSBGA (YZP) | 6 | Ultra Librarian |
| SOT-23 (DBV) | 6 | Ultra Librarian |
| SOT-SC70 (DCK) | 6 | Ultra Librarian |
| USON (DRY) | 6 | Ultra Librarian |
| X2SON (DSF) | 6 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点