SN74CB3Q3257
- High-bandwidth data path (up to 500MHz)
- 5V Tolerant I/Os with device powered up or powered down
- Low and flat on-state resistance (ron) characteristics over operating range (ron= 4Ω typical)
- Rail-to-rail switching on data I/O ports
- 0- to 5V Switching with 3.3V VCC
- 0- to 3.3V Switching with 2.5V VCC
- Bidirectional data flow with near-zero propagation delay
- Low input and output capacitance minimizes loading and signal distortion (Cio(OFF) = 3.5pF typical)
- Fast switching frequency (f OE = 20MHz maximum)
- Data and control inputs provide undershoot clamp diodes
- Low power consumption (ICC = 0.7mA typical)
- VCC Operating range from 2.3V to 3.6V
- Data I/Os support 0- to 5V signaling levels (0.8V, 1.2V, 1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, 5V)
- Control inputs can be driven by TTL or 5V and 3.3V CMOS outputs
- Ioff Supports partial-power-down mode operation
- Latch-up performance exceeds 100mA Per JESD 78, class II
- ESD Performance tested per JESD 22
- 2000V Human body model (A114B, class II)
- 1000V Charged-device model (C101)
- Supports both digital and analog applications: USB interface, differential signal interface, bus isolation, low-distortion signal gating (1)
(1)For additional information regarding the performance characteristics of the CB3Q family, refer to the TI CBT-C, CB3T, and CB3Q Signal-Switch Families application report.
The SN74CB3Q3257 device is a high-bandwidth FET bus switch using a charge pump to elevate the gate voltage of the pass transistor, providing a low and flat ON-state resistance (ron).
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设计与开发
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EVM-LEADLESS1 板可用于对 TI 的常见无引线封装进行快速测试和电路板试验。 该评估板有足够的空间，可将 TI 的 DRC、DTP、DQE、RBW、RGY、RSE、RSV、RSW RTE、RTJ、RUK、RUC、RUG、RUM、RUT 和 YZP 表面贴装封装转为 100mil DIP 接头。
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