主页 电源管理 功率级 氮化镓 (GaN) 功率级

LMG3104R017

预发布

具有增强型集成驱动器的 100V 1.7mΩ GaN FET

产品详情

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VQFN-FCRLF (VBE) 15 26 mm² 6.5 x 4
  • 具有集成驱动器的 100V GaN 功率级:(GaN FET RDS(ON) 选项:1.1mΩ 和 1.7mΩ)
  • 集成了高侧电平移位和自举
    • 两个 LMG310xR0xx 可构成一个半桥
    • 无需外部电平移位器
  • 高效率、高密度的功率转换
    • 超低传播延迟 (20ns) 和匹配 (7ns)
    • GaN FET 独立导通和关断转换率控制
    • 用于优化死区时间的零电压检测 (ZVD) 报告
    • 理想二极管模式导通 (IDM) 和关断(零电流检测 ZCD),可降低软开关应用中的第三象限损耗
  • 输入控制灵活多样
    • 独立输入模式 (IIM) 控制
    • 单路 PWM 输入,电阻可编程死区时间,适配 IO 受限的控制器
  • 强大的保护
    • IIM 下的互锁保护 (LMG3104R0xx)
    • 内部自举电源电压调节,可防止 GaN FET 过驱动
    • 基于 VDS 监测的逐周期短路保护
    • 过热、电源欠压和短路事件的故障指示
  • 外置辅助供电电源:5V
    • 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
  • 寄生优化 QFN 封装,顶部设有外露焊盘,支持顶面散热
  • 具有集成驱动器的 100V GaN 功率级:(GaN FET RDS(ON) 选项:1.1mΩ 和 1.7mΩ)
  • 集成了高侧电平移位和自举
    • 两个 LMG310xR0xx 可构成一个半桥
    • 无需外部电平移位器
  • 高效率、高密度的功率转换
    • 超低传播延迟 (20ns) 和匹配 (7ns)
    • GaN FET 独立导通和关断转换率控制
    • 用于优化死区时间的零电压检测 (ZVD) 报告
    • 理想二极管模式导通 (IDM) 和关断(零电流检测 ZCD),可降低软开关应用中的第三象限损耗
  • 输入控制灵活多样
    • 独立输入模式 (IIM) 控制
    • 单路 PWM 输入,电阻可编程死区时间,适配 IO 受限的控制器
  • 强大的保护
    • IIM 下的互锁保护 (LMG3104R0xx)
    • 内部自举电源电压调节,可防止 GaN FET 过驱动
    • 基于 VDS 监测的逐周期短路保护
    • 过热、电源欠压和短路事件的故障指示
  • 外置辅助供电电源:5V
    • 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
  • 寄生优化 QFN 封装,顶部设有外露焊盘,支持顶面散热

LMG310xR0xx 器件是一个具有集成高频驱动器的 100V 增强模式氮化镓 (GaN) HEMT 系列。LMG310xR0xx 包含一个高侧电平移位器和自举电路,因此两个 LMG310xR0xx 器件可用于构成一个半桥,而无需额外的电平移位器。LMG3104R0xx 在独立输入模式 (IIM) 下提供了逻辑输入互锁。

由于 GaN FET 的反向恢复为零,而且输入电容 (CISS) 和输出电容 (COSS) 都极小,所以 GaN FET 在功率转换方面优势极为显著。驱动器和 GaN FET 均安装在一个完全无键合线的封装平台上,尽可能减少了封装寄生元件数。LMG310xR0xx 器件采用 6.5mm × 4mm 无铅封装,可轻松安装在 PCB 上。

无论 VCC 电压如何,TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有自举电压调节技术可将增强模式 GaN FET 的栅极电压调控至安全工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色,进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频率、高效率运行的应用,该器件是理想之选。

LMG310xR0xx 器件是一个具有集成高频驱动器的 100V 增强模式氮化镓 (GaN) HEMT 系列。LMG310xR0xx 包含一个高侧电平移位器和自举电路,因此两个 LMG310xR0xx 器件可用于构成一个半桥,而无需额外的电平移位器。LMG3104R0xx 在独立输入模式 (IIM) 下提供了逻辑输入互锁。

由于 GaN FET 的反向恢复为零,而且输入电容 (CISS) 和输出电容 (COSS) 都极小,所以 GaN FET 在功率转换方面优势极为显著。驱动器和 GaN FET 均安装在一个完全无键合线的封装平台上,尽可能减少了封装寄生元件数。LMG310xR0xx 器件采用 6.5mm × 4mm 无铅封装,可轻松安装在 PCB 上。

无论 VCC 电压如何,TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有自举电压调节技术可将增强模式 GaN FET 的栅极电压调控至安全工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色,进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频率、高效率运行的应用,该器件是理想之选。

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技术文档

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* 数据表 LMG310xR0xx 100V GaN 功率级,集成保护功能和 智能开关特性 数据表 PDF | HTML 2026年 5月 21日

设计与开发

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评估板

LMG210XEVM-121 — LMG2104R044 评估模块

LMG210XR044 评估模块是一款具有外部 PWM 信号的紧凑且易于使用的功率级。该电路板可配置为降压转换器、升压转换器或其他使用半桥的转换器拓扑。该器件可用于评估 LMG210XR044 作为硬开关转换器的性能,以便对诸如效率、开关速度和 dv/dt(压摆率)等测量结果进行采样。该 EVM 集成了一个 LMG210XR044 半桥电源模块,后者具有两个由 80V GaN FET 半桥栅极驱动器驱动的 100V、4.4mΩ GaN FET。请勿用于评估瞬态响应,因为这是具有外部 PWM 信号的开环板。该 EVM 安装有 LMG2104R044 器件。
用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.A): PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

LMG210XEVM-143 — LMG2104R022 评估模块

LMG210XR022 评估模块 (EVM) 是一款具有外部 PWM 信号的紧凑且易于使用的功率级。该电路板可配置为降压转换器、升压转换器或其他使用半桥的转换器拓扑。该 EVM 可用于评估 LMG210XR022 作为硬开关转换器的性能,以便对诸如效率、开关速度和 dv/dt(压摆率)等测量结果进行采样。该 EVM 集成了一个 LMG210XR022 半桥电源模块,后者具有两个由 80V GaN FET 半桥栅极驱动器驱动的 100V、2.2mΩ GaN FET。请勿用于评估瞬态响应,因为这是具有外部 PWM 信号的开环板。此 EVM 搭载 LMG2104R022 器件。
用户指南: PDF | HTML
英语版 (Rev.A): PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

LMG3100EVM-089 — LMG3100 评估模块

LMG3100 评估模块 (EVM) 是一款具有外部 PWM 信号的紧凑且易于使用的功率级。该电路板可配置为降压转换器、升压转换器或其他使用半桥的转换器拓扑。该 EVM 具有两个 LMG3100 电源模块,每个模块均配有一个带集成驱动器的 100V 1.7mΩ GaN FET。
用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN-FCRLF (VBE) 15 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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