封装信息
| 封装 | 引脚 WQFN (RTV) | 32 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 1,000 | SMALL T&R |
LM5119Q 的特性
- 符合汽车类应用的 要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度 1 级：–40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
- 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 1C
- 器件组件充电模型 (CDM) ESD 分类等级 C4A
- 仿真峰值电流模式控制
- 宽工作电压范围（5.5V 至 65V）
- 可轻松配置为双路输出或交错单路输出
- 稳健耐用的 3.3A 峰值栅极驱动
- 开关频率最高可通过编程设定为 750kHz
- 可选二极管仿真模式
- 可编程输出（基准电压为 0.8V）
- 精度为 1.5% 的基准电压
- 可编程电流限制
- 断续模式过载保护
- 可编程软启动
- 可编程线路欠压锁定
- 自动切换至外部偏置电源
- 通道 2 使能逻辑输入
- 热关断
- 32 引脚超薄型四方扁平无引线 (WQFN) 封装
LM5119Q 的说明
LM5119Q 器件是一款双路同步降压控制器，适用于 高压 电源或变化范围较大的输入电源的降压稳压器应用。此控制方法基于采用仿真电流斜坡的电流模式控制。电流模式控制可提供内部线路前馈、逐周期电流限制和简化的环路补偿。通过使用仿真电流斜坡可降低脉宽调制电路的噪声灵敏度，从而对高输入电压应用中所需的极小占空比进行可靠 控制。开关频率可设定在 50kHz 至 750kHz 范围内。LM5119Q 器件可驱动支持自适应死区时间控制的外部高侧和低侧 NMOS 功率开关。用户可选二极管仿真模式可实现断续模式运行，从而提高轻负载条件下的效率。凭借高压偏置稳压器以及自动切换至外部偏置的功能，可以进一步提高效率。其他 功能 包括：热关断、频率同步、逐周期和断续模式电流限制以及可调节线路欠压锁定。该器件采用功耗增强型 32 引脚无引线 WQFN 封装，并且配有利于散热的外露芯片连接焊盘。